[发明专利]显示芯片及显示装置在审
申请号: | 202111589201.6 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114335054A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 芯片 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示芯片和显示装置,包括衬底以及若干个像素单元,各像素单元分别包括发光器件、阳极、阴极,显示芯片还包括多个N‑line和多个P‑line,N‑line将位于同一行的多个像素单元的阴极连接,P‑line将位于同一列的多个像素单元的阳极连接;各像素单元在所述的衬底上分别形成凸出于衬底表面的岛,各岛分别具有两端部,所述的N‑line覆盖所述的岛的部分侧表面和台阶面,并且在大于等于两个方向上对所述的岛阴极形成包覆。本申请可以增加N‑line与岛的接触面积,减少断线率。
技术领域
本申请属于半导体显示器件技术领域,特别涉及一种微型发光二极管显示芯片。
背景技术
在显示技术领域中,近年来采用半导体加工方法制作的显示器,如OLED、Mini-LED以及Micro-LED等,以其低功耗、高分辨率、高对比度、零迟延等诸多优点受到越来越多的研究和关注,也代表着最新一代显示技术的发展。
对于半导体显示器件来说,其驱动方式一般分为无源选址驱动(PM:PassiveMatrix)和有源选址驱动(AM:Active Matrix)两种。在PM驱动模式中,以及共用电极的AM驱动模式中,每一列LED像素的阳极通过一根列扫描线(P-line)连接,每一行的LED像素的阴极通过一根行扫描线(N-line)连接,当某一列扫描线和某一行扫描线被选通的时候,其交叉点的LED像素就会被点亮,通过高速逐点扫描,可以显示出连续变化的画面。
参见图1、2、3所示,现有技术中,行扫描线和列扫描线分别通过接触金属连接各像素的阴极和阳极,然而,由于各像素制程过程中,会形成起伏的岛状结构(ISO岛),其中,金属连接线在覆盖如图2所示的岛状结构时,由于金属的沉积和爬坡具有方向性,导致在水平面和垂直面上的金属覆盖厚度往往不同,容易出现某一方向的金属断线,影响显示芯片的稳定性和可靠性,因此,如何克服金属断线的问题是提高半导体显示器件产品良率亟需解决的问题。
发明内容
为了解决金属断线的技术问题,本申请提供一种能够避免金属断线的显示器件。
为了实现上述申请的目的, 本申请采用如下技术方案:一种显示芯片,包括衬底以及以行列形式排布在该衬底上的若干个像素单元,各所述的像素单元分别包括发光器件、分别与发光器件形成接触的阳极以及阴极,所述的显示芯片还包括多个N-line和多个P-line,所述的N-line将位于同一行的多个像素单元的阴极连接,所述的P-line将位于同一列的多个像素单元的阳极连接;各所述的像素单元的阴极在所述的衬底上分别形成凸出于衬底表面的岛,所述的岛具有平坦的台阶面和连接台阶面与衬底的侧表面,所述的N-line覆盖所述的岛的部分侧表面和台阶面,并且在大于等于两个方向上对所述的岛阴极形成包覆。
在本申请的一个实施例中,各所述的岛分别具有两端部,所述的N-line包括沿行方向延伸的细长部和包覆各所述的岛端部的包覆部,所述的包覆部的宽度大于所述的细长部的宽度,所述的包覆部对所述的端部形成覆盖。
在本申请的一个实施例中,所述的N-line在相互垂直的两个方向上对所述的岛阴极形成包覆。
在本申请的一个实施例中,所述岛的端部有三个侧表面均被所述的N-line包裹。
在本申请的一个实施例中,在所述的衬底所在的平面上,所述的岛的投影呈凹字形、长圆形、哑铃形,所述的发光器件位于所述的岛的两个端部之间。
本申请的另一方案是提供一种具有上述显示芯片的显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的