[发明专利]一种玻璃基LED发光模组的制作方法在审
申请号: | 202111588010.8 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114361196A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 彭寿;谢义成;王国宏;李志聪;王倩;戴俊;王恩平;仲奕;张溢;高坚;张应;余益民 | 申请(专利权)人: | 扬州中科半导体照明有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 扬州云洋知识产权代理有限公司 32389 | 代理人: | 程一帆 |
地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 led 发光 模组 制作方法 | ||
本发明公开了一种玻璃基LED发光模组的制作方法,包括以抗强腐蚀的膜材为掩膜,对玻璃表面进行腐蚀或蚀刻处理,形成规则的凹槽阵列结构;在玻璃板凹槽内固定芯片,形成设置有高密度芯片阵列的玻璃板;将设置有导电线路的玻璃板与芯片阵列的玻璃板对准贴合,再进行激光局部加热、回流焊处理,形成导电线路玻璃板与芯片及凹槽阵列玻璃板连为一体的结构。可以将凹槽阵列玻璃板与芯片分离,对凹槽阵列玻璃板清洗后可重复使用,可重复性高,适用于大量生产。或直接在导电线路玻璃板与凹槽阵列玻璃板之间填充绝缘且无色透明的胶水,并在四周形成密封结构,形成发光模组。对的成型的发光模组可以进行双面减薄处理,形成所需规格的玻璃基发光模组。
技术领域
本发明涉及LED发光芯片模组技术领域,具体涉及一种玻璃基LED发光模组的制作方法。
背景技术
OLED显示技术存在成本高、可靠性差、寿命短的致命问题,而Mini LED液晶显示器,具有峰值高亮度、色域广、高动态对比度(HDR)、高可靠度、寿命长、轻薄等优点。这种Mini LED的直下式液晶显示背光技术,作为一种应用前景广阔的新型显示技术,备受行业青睐。该技术的发展,将为TFT-LCD显示产业的升级创造契机,并助推LCD与OLED产业展开竞争。
但是,传统的Mini LED背光模组,是基于PCB板上的Mini LED芯片阵列,较玻璃基Mini LED模组制作,PCB基的Mini LED发光模组加工难度大、成本高,且在近零OD模组厚度控制、大尺寸加工、对准度、平整性方面不具有优势。
发明内容
本发明的目的是针对上述背景技术中存在的不足,提供一种大尺寸、高密度、高精度的发光模组制作方法。
为实现上述目的,本发明涉及一种玻璃基LED发光模组的制作方法,采用了如下技术方案:
一种玻璃基LED发光模组的制作方法,包括以下步骤:
步骤一、准备抗强腐蚀的膜材,膜材以曝光、腐蚀的形式制作形成阵列式开窗结构;
步骤二、准备玻璃,将带有阵列式开窗结构的膜材预贴于玻璃的一侧表面,对该侧表面进行腐蚀或蚀刻处理,在玻璃上形成规则的凹槽阵列结构,去除预贴的膜材;
步骤三、在凹槽阵列结构的凹槽内涂胶、固定芯片,填充胶水以及固定芯片可以采用大规模多批次的方式实现;
步骤四、准备制作好互联线路的玻璃基板,将导电线路的玻璃基板与芯片阵列玻璃板对准贴合,贴合后对基板和玻璃板的夹层结构进行激光局部加热、回流焊,形成导电线路玻璃板与芯片及凹槽阵列玻璃板连为一体的结构;
步骤五、进一步可选择地,将凹槽阵列玻璃板与芯片阵列分离,保留导电线路玻璃板及芯片阵列形成发光模组;也可以直接在导电线路玻璃板与凹槽阵列玻璃板之间填充绝缘且透明的胶水,并在四周形成密封结构,形成发光模组。对成型的发光模组可以进行双面减薄处理,形成所需规格的玻璃基发光模组。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明利用膜材在玻璃板上开设出高密度的的凹槽阵列结构,玻璃板尺寸可选小、中或大尺寸,根据需要进行选择,该方法重复性高、生产效率高。
2、本发明通过设有高密度芯片阵列的玻璃板与导电线路玻璃基板的贴合,实现了高密度芯片阵列的焊盘与导电线路玻璃板上的焊点精确对合,操作方法简便、可靠。
3、本发明凹槽阵列结构中的凹槽限制了单个芯片的位移,提升了发光模组中芯片阵列的排布精度、对准精度,进而极大地提升了发光模组的良率。
4、本发明中的基板材质为玻璃,便于实现平整的模组表面,提高了高密度MiniLED芯片的对准精度与对准良率,同时易于发光模组精准拼接。
5、本发明可以根据需要,对玻璃进行减薄,实现超薄玻璃发光模组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的