[发明专利]双面异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种双面异质结太阳能电池，包括硅基，依次位于所述硅基主受光侧的正面本征非晶硅层、掺杂非晶硅层，其特征在于，所述正面本征非晶硅层包括本征过渡层、位于所述本征过渡层背离所述硅基的一侧的本征钝化层，且所述正面本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间。

2.根据权利要求1所述的双面异质结太阳能电池，其特征在于：所述本征过渡层的厚度小于所述本征钝化层的厚度；

或，所述本征过渡层的厚度为所述正面本征非晶硅层的厚度的1/2～1/10；

或，所述本征过渡层的厚度介于0.5nm～1.5nm，所述本征钝化层的厚度介于2nm～5nm。

3.根据权利要求1所述的双面异质结太阳能电池，其特征在于：所述正面本征非晶硅层中，Si-H伸缩振动峰的吸光度A₂₀₀₀高于5*10^-4；

和/或，Si-H₂伸缩振动峰的吸光度为A₂₀₈₀，Si-H伸缩振动峰的吸光度为A₂₀₀₀，A₂₀₈₀除以吸光度A₂₀₀₀不大于0.8。

4.根据权利要求1所述的双面异质结太阳能电池，其特征在于：所述掺杂非晶硅层为磷掺杂非晶硅层或硼掺杂非晶硅层，厚度介于3nm～4nm。

5.一种双面异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

在硅基的主受光侧沉积正面本征非晶硅层；

在正面本征非晶硅层的主受光侧沉积掺杂非晶硅层；

其特征在于，所述正面本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间，且沉积所述正面本征非晶硅层包括：

使用SiH₄沉积所述本征过渡层；

使用SiH₄:H₂沉积所述本征钝化层。

6.根据权利要求5所述的双面异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：沉积所述本征过渡层时，镀膜功率为35mW/cm²～50mW/cm²。

7.根据权利要求5所述的双面异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：沉积所述本征钝化层时，SiH₄:H₂＝1:1～1:10，压力65Pa～90Pa，镀膜功率10mW/cm²～50mW/cm²。

8.根据权利要求5所述的双面异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述本征过渡层的厚度小于所述本征钝化层的厚度；

或，所述本征过渡层的厚度为所述正面本征非晶硅层的厚度的1/2～1/10；

或，所述本征过渡层的厚度介于0.5nm～1.5nm，所述本征钝化层的厚度介于2nm～5nm。

9.根据权利要求5～8任意一项所述的双面异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：还包括对所述本征钝化层进行氢处理：使用氢气，在功率100mW/cm²～400mW/cm²下进行氢处理，处理时长10s～18s。

10.根据权利要求5～8任意一项所述的双面异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述正面本征非晶硅层中，Si-H伸缩振动峰的吸光度A₂₀₀₀高于5*10^-4；

和/或，Si-H₂伸缩振动峰的吸光度为A₂₀₈₀，Si-H伸缩振动峰的吸光度为A₂₀₀₀，A₂₀₈₀除以吸光度A₂₀₀₀不大于0.8。