[发明专利]可调电容电路和延时调节电路

说明书

本发明公开了一种可调电容电路和延时调节电路。可调电容电路包括至少一个电容调节单元；电容调节单元包括三极管、至少一个电容和回路模块，三极管和电容串联于可调电容电路的第一端口和第二端口之间，三极管的基极与控制信号端连接，回路模块与三极管连接，用于为三极管提供导通回路。三极管的寄生电容很小，可以降低电容调节单元的电容值调节范围的最小值，增加了电容调节单元的变容比，从而可以增加可调电容电路的变容比，使得可调电容电路可以用于高速电路中。同时，增加了可调电容电路用于改变节点时间常数时时间常数的取值范围，或者增加了可调电容电路用于延时电路时延时时长的取值范围，增加了可调电容电路的使用范围。

技术领域

本发明实施例涉及电子电路的技术领域，尤其涉及一种可调电容电路和延时调节电路。

背景技术

可调电容电路作为一种基础电路结构，可广泛用于需要改变节点时间常数或者延时时长的电路中。例如，在延时电路中，通过设置可调电容电路，用于调节延时电路的等效电容值，可以实现延时电路的延时时长的改变。

现有技术中，可调电容电路可以包括可调电容器件，用于实现电容值的调节，例如，可调电容器件可以为压控可调电容。可调电容器件的电容值调节范围比较小，不利于实现大范围的电容值调节。或者，可调电容电路还可以由多个支路组成，每个支路通过金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor，MOS管)控制该支路中的电容是否接入可调电容电路，从而通过MOS管调节可调电容电路中电容的数量，实现可调电容电路的电容值调节。由于MOS管存在较大的寄生电容，使得可调电容电路的变容比比较小，从而限制了可调电容电路的使用范围。

发明内容

本发明提供一种可调电容电路和延时调节电路，以提高可调电容电路的变容比，增加了可调电容电路的使用范围。

第一方面，本发明实施例提供了一种可调电容电路，包括至少一个电容调节单元；

所述电容调节单元包括三极管、至少一个电容和回路模块，所述三极管和所述电容串联于所述可调电容电路的第一端口和第二端口之间，所述三极管的基极与控制信号端连接，所述回路模块与所述三极管连接，用于为所述三极管提供导通回路。

可选地，所述电容调节单元包括第一电容和第二电容；

所述第一电容的第一极与所述第一端口连接，所述第一电容的第二极与所述三极管的第一极连接，所述三极管的第二极与所述第二电容的第一极连接，所述第二电容的第二极与所述第二端口连接。

可选地，所述回路模块包括第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端与第一电压端连接，所述第一电阻的第二端与所述三极管的第一极连接，所述第二电阻的第二端与所述三极管的第二极连接。

可选地，所述可调电容电路包括至少两个电容调节单元；至少两个所述电容调节单元并联连接。

可选地，不同所述电容调节单元内的三极管的基极与不同的控制信号端连接。

可选地，任意两个所述电容调节单元的电容最大值的比值为2ⁿ；其中，n为大于或等于1的整数。

可选地，可调电容电路还包括压控电容调节单元；所述压控电容调节单元与所述电容调节单元并联，所述压控电容调节单元用于连续调节所述电容调节单元电容值范围内的电容值。

可选地，所述压控电容调节单元包括第一可变电容和第二可变电容；所述第一可变电容的第一极与所述第一端口连接，所述第一可变电容的第二极和所述第二可变电容的第一极与电压控制端连接，所述第二可变电容的第二极与所述第二端口连接。