[发明专利]提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片及制备方法在审
| 申请号： | 202111555200.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114420757A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋媛媛;刘旺平 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 制备 效率 电子 迁移率 晶体管 外延 方法 | ||
1.一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片包括硅衬底以及依次层叠在所述硅衬底上的降低成核功复合层、AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述降低成核功复合层包括依次层叠的Ni子层与Ni-AlN合金子层。
2.根据权利要求1所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述Ni-AlN合金子层的厚度为50nm～260nm。
3.根据权利要求1所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述Ni子层的厚度为1～3nm。
4.根据权利要求1所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述降低成核功复合层的厚度为50～260nm。
5.一种提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法包括：
提供一硅衬底；
在所述硅衬底上依次生长降低成核功复合层、AlGaN缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述降低成核功复合层包括依次层叠的Ni子层与Ni-AlN合金子层。
6.根据权利要求5所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述硅衬底上生长降低成核功复合层，包括：
在所述硅衬底上沉积2～10nm的Ni膜层；
在所述Ni膜层上生长50～200nm的AlN膜层；
在温度为1100～1200℃的条件下对所述Ni膜层与所述AlN膜层进行退火以使所述Ni膜层中的Ni渗入AlN膜层中形成Ni-AlN合金子层，以在所述硅衬底上得到依次层叠的Ni子层与Ni-AlN合金子层。
7.根据权利要求6所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，在温度为1100～1200℃的条件下对所述Ni膜层与所述AlN膜层退火15～20min。
8.根据权利要求6所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述Ni膜层的溅射功率为2000～4000W。
9.根据权利要求8所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN膜层的生长温度为1100～1200℃，所述AlN膜层的生长压力为40～70mbar。
10.根据权利要求7所述的提高制备效率的高电子迁移率晶体管外延片制备方法，其特征在于，所述AlN膜层的生长温度与对所述Ni膜层与所述AlN膜层进行退火的温度相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111555200.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
