[发明专利]一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法

权利要求书

1.一种倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上制备外延层，所述外延层包括间隔设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层上刻蚀出导电台阶；

在第二半导体层上溅射电流扩展层；

制备绑定键合层，并使所述绑定键合层一端与所述导电台阶接触并直接电性连接、一端与所述电流扩展层接触并直接电性连接。

2.根据权利要求1所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在第二半导体层上溅射电流扩展层之后还包括，采用含氟离子的气体对电流扩展层的ITO表面进行表面处理，使得ITO表面能够直接和绑定键合层的底层金属层直接形成欧姆接触，光刻形成图形后再利用ITO腐蚀液对电流扩展层进行腐蚀。

3.根据权利要求1所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层包括在衬底上依次生长的缓冲层、第一半导体层、有源层和第二半导体层，对外延层表面进行图形化处理，并在外延层表面通过ICP刻蚀至第一半导体层，在第一半导体层上形成导电台阶。

4.根据权利要求1所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在制备绑定键合层之前，还包括蒸镀布拉格反射层对外延层和电流扩展层进行包覆，并在布拉格反射层上刻蚀用于供绑定键合层穿过的导电通孔。

5.根据权利要求4所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，刻蚀的导电通孔包括N型导电通孔和P型导电通孔，在布拉格反射层上制备的绑定键合层包括N型键合层和P型键合层，所述N型键合层通过所述N型导电通孔与所述导电台阶接触并直接电性连接，所述P型键合层通过所述P型导电通孔与所述电流扩展层接触并电性连接。

6.根据权利要求4所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在蒸镀布拉格反射层之后，还包括对所述布拉格反射层进行O₂等离子体轰击，然后经过冲洗、热氮吹扫烘干、烘烤对布拉格反射层表面进行清洁。

7.根据权利要求3所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在刻蚀出导电台阶之后，还包括采用含硅离子的气体对导电台阶表面进行处理，使得导电台阶表面能够直接和底层金属层形成欧姆接触。

8.根据权利要求1所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，制备得到的倒装mini发光二极管芯片包括

衬底；

外延层，所述外延层包括间隔设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层上设置有导电台阶；

电流扩展层，所述电流扩展层溅射在第二半导体层上；

绑定键合层，所述绑定键合层一端与所述导电台阶接触并直接电性连接、一端与所述电流扩展层接触并直接电性连接。

9.根据权利要求8所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述绑定键合层靠近所述导电台阶的一侧设置有底层金属层，所述底层金属层直接与导电台阶形成欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的倒装mini发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述底层金属层为Cr或Al金属制成。