[发明专利]静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器

说明书

本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器。

背景技术

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。静态随机存取存储器的存储单元通常由上拉晶体管(pull-up transistor，PU)、下拉晶体管(pull-down transistor，PD)和传输管(pass-gate transistor，PG)组成。实际应用中，SRAM所占电路面积较大，低的集成度会显著增加芯片成本。

因此，有必要提供一种新型的静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器。

为实现上述目的，本发明的所述静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，其中，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、所述第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和所述第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向；

所述连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，所述字线用于控制所述第一传输管和所述第二传输管，所述第一位线和所述第二位线用于实现信号传输，所述第一互连线和所述第二互连线用于实现所述晶体管单元的内部连接，所述第一电源线和所述第二电源线用于为所述晶体管单元供电或接地，所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向。

所述静态随机存取存储器的存储单元结构的有益效果在于：所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。

可选地，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线为器件顶部互连线。其有益效果在于：便于实现布线，降低工艺难度。

可选地，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部相同或不同的金属互联层。其有益效果在于：合理的布线，避免布线冲突。

可选地，所述第一位线和所述第二位线为器件顶部金属互连线或衬底中金属埋线。其有益效果在于：所述第一位线和所述第二位线为器件为顶部金属互连线，便于实现布线，所述第一位线和所述第二位线为器件为衬底中金属埋线，则可以降低器件顶部金属互连线的布线难度，避免布线冲突。