[发明专利]静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，其中，

所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、所述第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和所述第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向；

所述连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，所述字线用于控制所述第一传输管和所述第二传输管，所述第一位线和所述第二位线用于实现信号传输，所述第一互连线和所述第二互连线用于实现所述晶体管单元的内部连接，所述第一电源线和所述第二电源线用于为所述晶体管单元供电或接地，所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线为器件顶部金属互连线。

3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述字线、所述第一互连线和所述第二互连线位于器件顶部相同或不同金属互联层。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一位线和所述第二位线为器件顶部金属互连线或衬底中金属埋线。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一电源线和所述第二电源线为器件顶部金属互连线或衬底中金属埋线。

6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第一N型场效应晶体管和第一P型场效应晶体管，所述第二共栅互补场效应晶体管包括堆叠设置的第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管。

7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。

8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一N型场效应晶体管的漏极和所述第一P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一传输管的一侧，所述第一N型场效应晶体管的源极和所述第一P型场效应晶体管的源极均设置于所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二共栅互补场效应晶体管的一侧。

9.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极的另一侧。

10.根据权利要求9所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第二N型场效应晶体管的漏极和所述第二P型场效应晶体管的漏极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第二传输管一侧，所述第二N型场效应晶体管的源极和所述第二P型场效应晶体管的源极均设置于所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极面向所述第一共栅互补场效应晶体管的一侧。

11.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，所述第一P型场效应晶体管的源极与所述第二P型场效应晶体管的源极相对设置，所述第一N型场效应晶体管的源极与所述第二N型场效应晶体管的源极相对设置。