[发明专利]一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法在审
申请号: | 202111521443.1 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114203599A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 郭青;郭萧 | 申请(专利权)人: | 郭青 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
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地址: | 201612 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 圆通 用贴膜 平台 及其 使用方法 | ||
本发明公开了一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法,涉及晶圆贴膜领域,解决了现有的晶圆通用贴膜平台通用性差切换使用不便,贴膜吸附不够稳固的问题,现提出如下方案,其包括台盘,台盘的下端面阵列开设有多个螺栓安装孔,所述台盘的一侧面设有平口槽,所述平口槽内固定连接有定位凸块,所述台盘的下端面阵列开设有气孔,所述台盘的正面阵列开设有真空花纹槽,所述台盘的中心处阵列贯穿开设有预留插孔。本装置具有方便对缺口晶圆与平口晶圆进行灵活切换使用贴膜,且贴膜时吸附稳固,贴膜质量高的特点。
技术领域
本发明涉及晶圆贴膜领域,尤其涉及一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。
但是现有晶圆减薄与晶圆切割是半导体制造工艺流程中必不可少的工序,通常是从晶圆没有电路结构的一面进行减薄或切割。在晶圆减薄或切割之前,需要在晶圆具有电路结构的一面贴膜,保护该电路结构。而现有的贴膜机通过开多孔的方式实现真空的吸附,吸附力较弱,且随着芯片制造制成等级的要求越来越高,更多的产品对ESD要求进行了限定。同时平边和V-Notch产品台面分开,产品切换切机复杂,不方便对平口晶圆与缺口晶圆进行灵活切换的贴膜。因此提出一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法,解决了现有的晶圆通用贴膜平台通用性差切换使用不便,贴膜吸附不够稳固的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种晶圆通用贴膜平台,包括台盘,台盘的下端面阵列开设有多个螺栓安装孔,所述台盘的一侧面设有平口槽,所述平口槽内固定连接有定位凸块,所述台盘的下端面阵列开设有气孔,所述台盘的正面阵列开设有真空花纹槽,所述台盘的中心处阵列贯穿开设有预留插孔。
优选的,所述台盘的上端面阵列开设有真空花纹槽。
优选的,所述台盘后侧面阵列开设气孔与前侧开设的真空花纹槽贯穿设置。
优选的,所述平口槽设置在台盘侧面,且与真空花纹槽分开设置。
优选的,所述预留插孔的两端贯穿台盘的上下两端面。
优选的,所述预留插孔内滑动安装有三针顶升装置。
一种晶圆通用贴膜平台的使用方法,包括以下步骤:
S1:机械臂将从料盒中抓取晶圆,然后放置在对齐机器人上;
S2:晶圆通过对齐机器人并在其上进行对中和找缺口;
S3:机械臂将在对齐机器人上取下找好位置的晶圆,并把晶圆传送到三针顶升装置上,然后机械臂退回;
S4:三针顶升装置通过气孔将真空打开,吸住晶圆;
S5:三针顶升装置在伺服电机的驱动下把晶圆从机械臂放置位置传递到贴膜平台上,三针顶升装置真空释放,贴膜平台真空打开,吸住晶圆;
S6:机器完成贴膜动作;
S7:三针顶升装置上升到设定位置,真空打开,吸住晶圆;
S8:台盘真空释放掉,三针顶升装置顶起晶圆到下料高度;
S9:机械臂来抓取晶圆,三针顶升装置真空释放,机械臂抓取晶圆后送回晶圆盒。
与相关技术相比较,本发明提供的一种晶圆通用贴膜平台及其使用方法具有如下有益效果:
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