[发明专利]一种LED阵列芯片及其制作方法

说明书

本申请提供了一种LED阵列芯片及其制作方法，涉及LED芯片领域。该方法包括：首先提供一透明衬底，透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极；然后在各LED单元表面旋涂光刻胶，并在光刻胶上形成与第一金属电极和第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔；最后在第一保护孔和第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极，P型电极与第一金属电极连接，N型电极与第二金属电极连接，且各P型电极互相连接，各N型电极相互连接，形成LED阵列芯片。在本申请的方法中，通过在金属电极上方形成保护孔，可以避免在金属互联时，由于芯片位移而导致的连接错误。

技术领域

本发明涉及LED芯片领域，具体而言，涉及一种LED阵列芯片及其制作方法。

背景技术

目前，微LED芯片可广泛应用于显示、可见光通信以及照明等领域。微LED的尺寸从最初的50um-100um缩小至5um-10um，未来其尺寸将近一步地缩小，阵列密度近一步地提高，以满足其在高亮度，高分辨率等新型显示中的应用。

在显示领域中，将大批量的微LED芯片搬运至驱动基板时，会涉及到精准的电极对位。而在转移的过程中，芯片难免会有位移，特别是在大面积阵列、超微小的LED阵列中更为显著，微小的位移偏差就会导致后续电极互联发生错误，从而造成LED阵列芯片出现故障。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种LED阵列芯片，其至少能够部分的解决上述问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供了一种LED阵列芯片的制作方法，所述方法包括：

提供一透明衬底，所述透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各所述LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极；

在各所述LED单元表面旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔；

在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极，所述P型电极与所述第一金属电极连接，所述N型电极与所述第二金属电极连接，且各所述P型电极互相连接，各所述N型电极相互连接，形成所述LED阵列芯片。

可选的，所述在各所述光刻胶上形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔的步骤包括：

以所述第一金属电极和所述第二金属电极为掩膜，在所述透明衬底侧对各所述LED单元进行曝光，并对所述光刻胶进行刻蚀，在所述光刻胶上形成分别与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔。

可选的，所述提供一透明衬底，所述透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各所述LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极的步骤之前，所述方法还包括：

提供一本体，所述本体包括牺牲层、N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层，所述牺牲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层以及所述P型半导体层依次设置；

在所述牺牲层上形成多个初始单元，各所述初始单元阵列分布，所述初始单元包括所述N型半导体层、所述多量子阱层以及所述P型半导体层；

在各所述初始单元的所述P型半导体层上制备钝化层；

在所述钝化层上设置第一电极通孔与第二电极通孔；

在所述第一电极通孔与所述第二电极通孔中分别设置所述第一金属电极和所述第二金属电极，所述第一金属电极与所述P型半导体层连接，所述第二金属电极穿过所述P型半导体层、所述多量子阱层与所述N型半导体层连接，形成各所述LED单元；

将各所述LED单元与所述牺牲层剥离，转移至所述透明衬底表面。