[发明专利]一种LED阵列芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一透明衬底，所述透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各所述LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极；

在各所述LED单元表面旋涂光刻胶，并在所述光刻胶上形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔；

在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极，所述P型电极与所述第一金属电极连接，所述N型电极与所述第二金属电极连接，且各所述P型电极互相连接，各所述N型电极相互连接，形成所述LED阵列芯片。

2.根据权利要求1所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述在各所述光刻胶上形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔的步骤包括：

以所述第一金属电极和所述第二金属电极为掩膜，在所述透明衬底侧对各所述LED单元进行曝光，并对所述光刻胶进行刻蚀，在所述光刻胶上形成分别与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔。

3.根据权利要求1所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述提供一透明衬底，所述透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各所述LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极的步骤之前，所述方法还包括：

提供一本体，所述本体包括牺牲层、N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层，所述牺牲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层以及所述P型半导体层依次设置；

在所述牺牲层上形成多个初始单元，各所述初始单元阵列分布，所述初始单元包括所述N型半导体层、所述多量子阱层以及所述P型半导体层；

在各所述初始单元的所述P型半导体层上制备钝化层；

在所述钝化层上设置第一电极通孔与第二电极通孔；

在所述第一电极通孔与所述第二电极通孔中分别设置所述第一金属电极和所述第二金属电极，所述第一金属电极与所述P型半导体层连接，所述第二金属电极穿过所述P型半导体层、所述多量子阱层与所述N型半导体层连接，形成各所述LED单元；

将各所述LED单元与所述牺牲层剥离，转移至所述透明衬底表面。

4.根据权利要求3所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述将各所述LED单元与所述牺牲层剥离，转移至所述透明衬底表面的步骤包括：

将各所述LED单元与所述牺牲层剥离；

将各所述LED单元转移至临时衬底表面，并去除所述牺牲层；

再将所述LED单元转移至所述透明衬底表面。

5.根据权利要求3或4所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述将各所述LED单元与所述牺牲层剥离的步骤包括：

通过腐蚀部分所述牺牲层，将各所述LED单元与所述牺牲层剥离。

6.根据权利要求3所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述本体上形成多个初始单元的步骤包括：

通过刻蚀工艺，对所述本体进行刻蚀，在所述衬底上形成多个初始单元。

7.根据权利要求1所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，在各所述LED单元表面旋涂光刻胶的步骤包括：

在各所述LED单元表面旋涂BCB光刻胶。

8.根据权利要求1所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极的步骤包括：

通过溅射的方式在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极。

9.根据权利要求1所述的LED阵列芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极的步骤包括：

通过倒装焊接的方式在所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别形成P型电极和N型电极。

10.一种LED阵列芯片，其特征在于，所述LED阵列芯片由上述权利要求1-9任一项所述的LED阵列芯片的制作方法制得，所述LED阵列芯片包括：

透明衬底，所述透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各所述LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极；

各所述LED单元表面旋涂有光刻胶，所述光刻胶上形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极对应的第一保护孔与第二保护孔；

所述第一保护孔和所述第二保护孔中分别设置有P型电极和N型电极，所述P型电极与所述第一金属电极连接，所述N型电极与所述第二金属电极连接，且各所述P型电极互相连接，各所述N型电极相互连接。