[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

本申请提供一种显示装置及其制造方法。显示装置包括支撑基板、发光芯片和薄膜晶体管。发光芯片设置于支撑基板的一侧。薄膜晶体管设置于发光芯片远离支撑基板的一侧。薄膜晶体管连接于发光芯片。本申请的显示装置无需采用ACF bonding或者金属bonding制程，仅通过黄光制程即可将发光芯片与薄膜晶体管阵列支撑基板牢固粘结，稳定性好。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制造方法。

背景技术

微发光二极管(Micro-LED)和次毫米发光二极管(Mini Light-emitting Diode，Mini-LED)芯片显示器(合称：MLED)由微米级半导体发光单元阵列组成，是新型显示技术与发光二极管(LED)技术二者复合集成的综合性技术。MLED显示器具有自发光、高效率、低功耗、高集成、高稳定性、全天候工作等优点，被认为是最有前途的下一代新型显示器之一。并且，MLED因其体积小、灵活性高、易于拆解合并等特点，能够部署在现有的从最小到最大尺寸的任何显示应用场合中，并且在很多情况下，Micro-LED显示器将比液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器发挥更独特的效果。未来，Micro-LED显示技术还将从平板显示扩展到增强现实/虚拟现实/混合现实(AR/VR/MR)、空间显示、柔性显示、透明显示、可穿戴/可植入光电器件、光通讯光互联、医疗探测、智能车灯等诸多领域。若突破量化生产技术，Micro-LED显示极有可能成为具有颠覆性和变革型的下一代主流显示技术，带来新一轮显示技术升级换代。

目前，常见的Micro-LED显示装置的结构从下至上依次为：薄膜晶体管阵列基板、MLED发光芯片、封装层以及盖板。这种MLED显示装置的制作流程如下：先制作驱动的阵列基板，再将晶圆(wafer)上的MLED器件转移到薄膜晶体管阵列基板上，再进行模组制程。MLED芯片的巨量转移一般通过异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)绑定，或者可低温形成合金的金属绑定。这些绑定不仅制程难度大，MLED发光芯片与薄膜晶体管阵列基板的粘结强度低，导致制程良率低。

发明内容

本申请提供一种显示装置，其能够降低制程难度，提升发光芯片与薄膜晶体管阵列的粘结强度，从而提升制程良率。

本申请提供一种显示装置，其包括：

支撑基板；

发光芯片，设置于所述支撑基板的一侧；

薄膜晶体管，设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧，所述薄膜晶体管连接于所述发光芯片。

在一种实施方式中，所述显示装置包括第一信号传输电极，所述第一信号传输电极设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧，所述发光芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第二电极远离所述支撑基板的一侧，所述薄膜晶体管包括源极和漏极，所述源极连接于所述第一信号传输电极，所述漏极连接于所述第一电极。

在一种实施方式中，所述第一信号传输电极设置于所述薄膜晶体管远离所述发光芯片的一侧，所述显示装置包括第一驱动电极，所述第一驱动电极设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧，且与所述薄膜晶体管间隔设置，所述第一驱动电极连接于所述漏极和所述第一电极之间。

在一种实施方式中，所述第一驱动电极与所述漏极同层设置，并与所述漏极直接连接。

在一种实施方式中，所述显示装置还包括桥接电极，所述桥接电极与所述VDD同层设置，所述桥接电极连接所述漏极与所述第一驱动电极。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、第一栅极以及第二栅极，所述第二栅极设置于所述第一栅极远离所述发光芯片的一侧，所述源极和所述漏极设置于所述第二栅极远离所述发光芯片的一侧，所述第一信号传输电极与所述源极同层设置，所述第一信号传输电极连接于所述源极与所述第二栅极之间。