[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 202111508895.6 | 申请日: | 2021-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN114203733B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
| 发明(设计)人: | 易士娟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
支撑基板;
发光芯片,所述发光芯片包括第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述第二电极远离所述支撑基板的一侧;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧,所述薄膜晶体管包括源极和漏极,所述漏极连接于所述第一电极;
第一信号传输电极,所述第一信号传输电极设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧且位于所述薄膜晶体管远离所述发光芯片的一侧,所述第一信号传输电极与所述源极连接;
第一驱动电极,所述第一驱动电极设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧,且与所述薄膜晶体管间隔设置,所述第一驱动电极连接于所述漏极和所述第一电极之间;
第二信号传输电极,所述第二信号传输电极设置于所述发光芯片远离所述支撑基板的一侧,所述第二信号传输电极连接于所述第二电极;
第二驱动电极,所述第二驱动电极设置于所述发光芯片靠近所述支撑基板的一侧,所述第二驱动电极连接于所述第二信号传输电极与所述第二电极之间;
连接电极,所述连接电极连接于所述第二信号传输电极与所述第二驱动电极之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一驱动电极与所述漏极同层设置,并与所述漏极直接连接。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括桥接电极,所述桥接电极与所述第一信号传输电极同层设置,所述桥接电极连接所述漏极与所述第一驱动电极。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括第一栅极以及第二栅极,所述第二栅极设置于所述第一栅极远离所述发光芯片的一侧,所述源极和所述漏极设置于所述第二栅极远离所述发光芯片的一侧,所述第一信号传输电极与所述源极同层设置,所述第一信号传输电极连接于所述源极与所述第二栅极之间。
5.如权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述第二信号传输电极设置于所述薄膜晶体管远离所述发光芯片的一侧;或者
所述第二信号传输电极与所述源极同层设置。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二驱动电极对应于所述第二电极设置,所述第二驱动电极为透明电极,所述显示装置包括金属电极,所述金属电极设置于所述支撑基板与所述发光芯片之间,所述金属电极中开设有开口,所述第二驱动电极设置于所述开口内,并与所述金属电极电连接,所述显示装置包括连接电极,所述连接电极连接于所述第二信号传输电极与所述金属电极之间。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层在所述金属电极所在平面上的正投影与所述金属电极重叠。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二信号传输电极与所述第一信号传输电极同层设置。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括平坦层,所述平坦层设置于所述发光芯片与所述薄膜晶体管之间,所述平坦层封装所述发光芯片。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括驱动组件,所述驱动组件设置于所述薄膜晶体管远离所述发光芯片的一侧,并与所述薄膜晶体管连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





