[发明专利]扇出式封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出式封装方法，其特征在于，所述方法包括：

分别提供晶圆载盘和面板载片；

将多组第一芯片的第一表面以第一阵列的形式通过混合键合结构固定在所述晶圆载盘的表面，在所述多组第一芯片的第二表面形成第一塑封层；

将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，将所述多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将所述多组第一芯片的第一表面固定在所述面板载片的表面；

在所述多组第一芯片背离所述面板载片的一侧形成第二塑封层；

将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，并在所述混合键合结构上形成互连布线层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合键合结构包括设置在多组第一芯片第一表面的第一钝化层和第一金属焊盘、以及设置在所述晶圆载盘朝向所述多组第一芯片的一侧第二钝化层和第二金属焊盘；其中，

所述第一钝化层与所述第二钝化层混合键合连接，所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘混合键合连接。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，包括：

通过研磨和刻蚀的方法去除所述晶圆载盘，以露出所述第二钝化层和所述第二金属焊盘。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述混合键合结构上形成互连布线层，包括：

在所述第二钝化层、第二金属焊盘以及第二塑封层上形成第一介电层；

图形化所述第一介电层，形成多个第一开口；

在所述图形化后的第一介电层的表面形成金属互连层；

图形化所述金属互连层，形成所述互连布线层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述互连布线层之后，所述方法还包括：

在所述图形化后的金属互连层表面形成第二介电层；

图形化所述第二介电层，形成多个第二开口；

在所述多个第二开口处进行植球，形成多个焊球；

对所述多组第一芯片进行切割，形成单组芯片封装结构。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在形成多个焊球之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨；或者，

在所述多组第一芯片背离所述面板载片的一侧形成第二塑封层之后，所述方法还包括：

对所述第二塑封层背离所述多组第一芯片的一侧进行打磨。

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述多组第一芯片的第一表面为所述多组第一芯片的正面和背面中的其中一者，所述多组第一芯片的第二表面为所述多组第一芯片的正面和背面中的另一者。

8.一种扇出式封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一芯片、混合键合结构、互连布线层以及塑封层，

所述混合键合结构设置在所述第一芯片的第一表面以及塑封层的表面；

所述互连布线层设置在所述混合键合结构上；

所述塑封层包裹所述第一芯片。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述混合键合结构包括设置在所述第一芯片第一表面的第一钝化层和第一金属焊盘，以及夹设在所述塑封层和所述互连布线层之间的第二钝化层和第二金属焊盘；

所述第一钝化层与所述第二钝化层混合键合连接，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘混合键合连接。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述互连布线层包设置在所述第二钝化层和第二金属焊盘上的第一介电层，以及设置在所述第一介电层上的金属互连层。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二介电层和焊球，

所述第二介电层设置在所述金属互连层上；

所述焊球设置在所述第二介电层上。