[发明专利]扇出式堆叠芯片的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种扇出式堆叠芯片的封装方法，其特征在于，所述方法包括：

将第一芯片固定在假片上的槽体内，所述第一芯片和所述假片均设置有多个导电通孔；

将第二芯片分别与所述假片和所述第一芯片进行混合键合，其中，所述第二芯片在所述假片上的正投影落在所述假片的内侧；

形成第一塑封层，所述第一塑封层包裹所述第二芯片；

形成第二塑封层，所述第二塑封层包裹所述第一芯片、所述假片、所述第二芯片和所述第一塑封层；

在所述假片和所述第一芯片背离所述第二芯片的表面形成重布线层，所述重布线层通过所述导电通孔与所述第一芯片电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一芯片和所述假片朝向所述第二芯片的表面设置有第一钝化层和第一金属焊盘，所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面设置有第二钝化层和第二金属焊盘；

所述将第二芯片分别与所述假片和所述第一芯片进行混合键合，包括：

将所述第一芯片和所述假片的第一钝化层与所述第二芯片的所述第二钝化层键合；以及，

将所述第一芯片和所述假片的第一金属焊盘与所述第二芯片的所述第二金属焊盘键合。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在将第二芯片分别与所述假片和所述第一芯片进行混合键合之前，所述方法还包括：

在所述假片和所述第一芯片的表面形成粘合胶，并使得部分所述粘合胶填充至所述假片和所述第一芯片之间的缝隙中；

将所述假片和所述第一芯片表面的粘合胶去除，以露出所述假片和所述第一芯片的所述第一钝化层和所述第一金属焊盘。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第二塑封层，包括：

将键合后的所述第一芯片和所述假片进行减薄，露出所述第一芯片和所述假片的导电通孔；

将减薄后的所述第一芯片和所述假片背离所述第二芯片的表面固定到临时载板上，之后形成所述第二塑封层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述假片和所述第一芯片背离所述第二芯片的表面形成重布线层，包括：

将所述第一芯片和所述假片与所述临时载板分离；

在所述第二塑封层、所述假片和所述第一芯片背离所述第二芯片的表面形成介电层；

图形化所述介电层，在所述图形化后的介电层上形成重布线层；

图形化所述重布线层，在所述图形化后的重布线层上形成焊球。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一芯片的表面与所述假片的表面齐平。

7.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述导电通孔为硅通孔。

8.一种扇出式堆叠芯片的封装结构，其特征在于，包括假片、第一芯片、第二芯片、混合键合结构、第一塑封层、第二塑封层和重布线层；

所述假片设置有槽体，所述槽体设置有所述第一芯片，所述第一芯片和所述假片均设置有多个导电通孔；

所述第二芯片堆叠设置在所述第一芯片和所述假片上，所述第二芯片通过所述混合键合结构分别与所述假片和所述第一芯片混合键合连接，并且所述第二芯片在所述假片上的正投影落在所述假片的内侧；

所述第一塑封层包裹所述第二芯片；

所述第二塑封层包裹所述第一芯片、所述假片、所述第二芯片以和所述第一塑封层；

所述重布线层设置在所述假片和所述第一芯片背离所述第二芯片的表面，所述重布线层通过所述导电通孔与所述第一芯片电连接。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述混合键合结构包括设置在所述第一芯片和所述假片朝向所述第二芯片的表面的第一钝化层和第一金属焊盘、以及设置在所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面的第二钝化层和第二金属焊盘；

所述第一钝化层和所述第二钝化层键合连接，所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘键合连接。