[发明专利]评估晶片与静电吸盘之间的接触

说明书

一种方法、非瞬态计算机可读介质和设备。该方法可包括：(a)引入在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差，该引入在晶片由静电吸盘支撑并且被静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；(b)在开始电压差的引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及(c)基于监测结果来确定晶片与静电吸盘之间的接触的电参数。

交叉引用

本申请要求于2020年12月8日提交的美国申请第17/115,656号的优先权。所述美国申请的公开内容出于所有目的通过引用以其整体并入本文。

背景技术

晶片可由评估系统进行评估，所述评估系统诸如但不限于扫描电子显微镜(SEM)。

理想地，一旦由静电吸盘支撑，晶片的正面就应该被均匀地充电。实际上，晶片的正面可能被不均匀地充电。不均匀的电荷可能引入测量误差。典型的测量误差可涉及扫描晶片的电子束的不想要的偏转。

对晶片的正面的电荷的评估应该在不接触晶片且不污染晶片的情况下进行。

越来越需要提供一种用于评估晶片正面的充电的无接触且无污染的方法。

晶片可由机械台、由静电吸盘或由支撑元件支撑。支撑元件可以不属于机械台，并且可以不属于静电吸盘。

在对晶片的评估期间，晶片可由静电吸盘支撑。静电吸盘可由机械台支撑。

在(例如，对晶片的评估之后的)各个时间点，可将晶片从机械台移开。在一些情况下，晶片可能以如下方式充电：当机械台距离晶片足够远时，晶片将跳动。跳动可能损坏晶片。

越来越需要预测跳动，甚至防止跳动。

晶片一旦被静电吸盘支撑就可以被应该使晶片接地的多个销接触。由于各种原因(包括在晶片背面处形成的绝缘层)，接地可能失效。

越来越需要评估晶片与销之间的接触的质量。

发明内容

本发明的一些实施例涉及用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法、非瞬态计算机可读介质和系统。

附图说明

在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点，在附图中：

图1示出了方法的示例；

图2示出了晶片和带电粒子系统的示例；

图3示出了的静电传感器的示例；

图4示出了方法的示例；

图5示出了晶片和带电粒子系统的一些部分的示例；

图6示出了电压差的引入的示例；

图7示出了方法的示例；

图8示出了电压相对距离的关系的示例；以及

图9示出了在晶片与机械台之间引入距离的示例。

具体实施方式

在以下详细描述中，阐述了众多具体细节以便提供对本公开的实施例的透彻理解。

然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开的当前实施例。在其他实例中，未详细地描述公知的方法、程序和部件，以免混淆本公开的当前实施例。

在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下具体实施方式可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点。