[发明专利]评估晶片与静电吸盘之间的接触

权利要求书

1.一种评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法，所述方法包括：

在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时，引入在所述静电吸盘的负极的绝对值与所述静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差；

在开始所述电压差的所述引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及

基于所述监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电参数的所述确定包括：确定所述接触的电阻。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述电压差的所述引入包括：以至少每1毫秒1伏的速率引入电压差。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。

8.一种用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的设备，所述设备包括：

处理电路；以及

静电传感器，所述静电传感器包括感测元件；

其中所述静电传感器被配置成在开始所述静电吸盘的负极的绝对值与所述静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差的引入之后的不同时间点处，监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，其中所述引入在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；以及

其中所述处理电路被配置成基于对所述电荷的监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述处理电路被配置成通过确定所述接触的电阻来确定所述接触的电参数。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述电荷的所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器-电容器电路的放电曲线。

11.如权利要求8所述的设备，其中所述电压差被以至少每1毫秒1伏的速率引入。

12.如权利要求8所述的设备，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。

13.如权利要求8所述的设备，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。

14.如权利要求8至13中任一项所述的设备，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。