[发明专利]微显示LED芯片结构及其制作方法在审
申请号: | 202111489530.3 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114171540A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 庄永漳 | 申请(专利权)人: | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种微显示LED芯片结构及其制作方法。所述微显示LED芯片结构包括:第一基板;阵列排布的多个LED单元,设置在所述第一基板上,相邻的LED单元能够独立的被驱动;其中,所述第一基板包含驱动电路,所述驱动电路具有多个触点,每个触点对应一个LED单元,每个触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域内,且每个触点还与该LED单元电连接。本发明实施例提供的微显示LED芯片结构中的第一基板上的触点对应设置在每一LED单元的正下方区域,而不是设置在相邻LED单元之间,从而可以缩减相邻两个LED单元之间的距离,并且提高了LED单元的发光区域的面积,进而提高了微显示LED芯片结构的发光亮度。
技术领域
本发明特别涉及一种微显示LED芯片结构及其制作方法,属于微显示技术领域。
背景技术
具有微型尺寸LED的显示器被称为微型LED(micro-LEDs)。微型LED显示器具有形成单个像素元件的微型LED阵列。像素可以是显示屏上的微小照明区域,可以由许多像素构成图像。换句话说,像素可以是小的离散元素,它们一起构成显示器上的图像。像素通常以二维(2D)矩阵排列,并使用点、正方形、矩形或其他形状表示。像素可以是显示器或数字图像的基本单元,并具有几何坐标。
微显示领域的显示器件多被用于产生高亮度的微缩显示图像,通过光学系统进行投影从而被观察者感知,投影目标可以是视网膜(虚像),或者投影幕布(实相),可应用于AR(增强现实)、VR(虚拟现实)、HUD(汽车抬头显示)等各个方面。
现有技术中的Micro-LED通常的制作流程是:首先形成Micro-LED阵列,然后将Micro-LED阵列批量转移至电路基板(例如,TFT板或COMS板等)上,最后进行封装。然而,由于Micro-LED尺寸小,定位精度要求高,如何高效率、高成品率的将Micro-LED芯片批量转移到电路基板上,成为将Micro-LED应用于微型显示技术领域急需突破的技术瓶颈。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种微显示LED芯片结构及其制作方法,以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:
本发明实施例提供了一种微显示LED芯片结构,其包括:
第一基板;
LED半导体层,设置于所述第一基板上,所述LED半导体层包括呈阵列排布的多个LED单元,相邻的LED单元能够独立的被驱动;
其中,所述第一基板包含驱动电路,所述驱动电路具有多个触点,每个触点对应一个LED单元,每个触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域,且每个触点还和与之对应的LED单元电连接。
在一具体实施方式中,所述触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域的中心区域。
在一具体实施方式中,所述LED半导体层包括依次叠层设置在所述第一基板上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层,所述LED半导体层上具有与所述触点位置对应的通孔,所述通孔贯穿所述LED半导体层;
钝化层,设置在所述第二掺杂型半导体层上,所述钝化层还覆盖所述通孔的侧壁和底部,所述钝化层具有第一开口、第二开口,所述第一开口暴露所述触点,所述第二开口暴露所述第二掺杂型半导体层;以及
电极层,设置在所述钝化层上并覆盖所述第一开口、第二开口,所述电极层自所述第一开口处与所述触点电连接、自所述第二开口处与所述第二掺杂型半导体层电连接。
在一具体实施方式中,所述LED单元具有台阶结构,相邻的两个LED单元经所述台阶结构被电性隔离,使得相邻的LED单元能够独立的被驱动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的