[发明专利]微显示LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种微显示LED芯片结构，其特征在于包括：

第一基板；

LED半导体层，设置于所述第一基板上，所述LED半导体层包括呈阵列排布的多个LED单元，相邻的LED单元能够独立的被驱动；

其中，所述第一基板包含驱动电路，所述驱动电路具有多个触点，每个触点对应一个LED单元，每个触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域内，且每个触点还和与之对应的LED单元电连接。

2.根据权利要求1所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域的中心区域。

3.根据权利要求1所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述LED半导体层包括依次叠层设置在所述第一基板上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；

所述LED半导体层上具有与所述触点位置对应的通孔，所述通孔贯穿所述LED半导体层；

钝化层，设置在所述第二掺杂型半导体层上，所述钝化层还覆盖所述通孔的侧壁和底部，所述钝化层具有第一开口、第二开口，所述第一开口暴露所述触点，所述第二开口暴露所述第二掺杂型半导体层；以及

电极层，设置在所述钝化层上并覆盖所述第一开口、第二开口，所述电极层自所述第一开口处与所述触点电连接、自所述第二开口处与所述第二掺杂型半导体层电连接。

4.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述LED单元具有台阶结构，相邻的两个LED单元经所述台阶结构被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动。

5.根据权利要求4所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上形成所述的台阶结构，且所述台阶结构的高度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度而小于所述LED半导体层的厚度，所述台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。

6.根据权利要求4所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：每一LED单元的台阶结构形成于所述第二掺杂型半导体层上，且所述台阶结构的高度等于所述LED半导体层的厚度，所述台阶结构还使相邻LED单元的有源层和第一掺杂型半导体层电性隔离。

7.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：相邻的两个LED单元之间设置有隔离材料层，相邻的两个LED单元经所述隔离材料层被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动。

8.根据权利要求7所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层内形成所述的隔离材料层，且所述隔离材料层的厚度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度，所述隔离材料层至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。

9.根据权利要求8所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述隔离材料层的材质包括离子注入材料，所述离子注入材料包括氢、氦、氮、氧、氟、镁、硅和氩中的任意一种或两种以上的组合。

10.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：多个LED单元的第一掺杂型半导体层为公共第一掺杂型半导体层。

11.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第一掺杂型半导体层和第二掺杂型半导体层中的一者为P型半导体层，另一者为N型半导体层。

12.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第一基板与第一掺杂型半导体层之间还设置有键合层。

13.根据权利要求12所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述键合层上对应于所述触点和第一开口的位置还设置有刻蚀孔，所述电极层通过所述第一开口及蚀刻孔将所述第二掺杂型半导体层和所述触点电性连接。