[发明专利]一种改善划片崩边的方法

说明书

本发明公开了一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:步骤一：晶圆准备：选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，电阻率5.0‑6.5Ω/cm，厚度220μm±10％；步骤二：划片道掺杂：在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％，本发明中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序，让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度，提高晶圆的划片质量。

技术领域

本发明涉及半导体芯片设计及制造技术领域，具体涉及一种改善划片崩边的方法。

背景技术

常规划片道典型结构如图1所示，在半导体晶圆在制造完成后，需要采用砂轮切割的方式将一颗颗芯片分离开，而切割用的砂轮是由硬质的金刚砂和粘合物构成的，砂轮高速旋转对晶圆切割道进行研磨切割。由于晶圆是由硅材料构成，硬度高，脆性也高，会在切割过程中出现崩缺的现象，如图2所示，业内将这一现象称为“崩边”。

由于单晶硅是硅原子是按晶格顺序连续排列的，故崩边现象会将晶格损伤延伸至硅芯片内部，如果延伸至芯片有效工作区，就会导致芯片电参数失效，所以崩边是导致芯片划片后损耗的一大因素。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善划片崩边的方法，是对芯片功能区进行掺杂工序的同时，对划片道区域也同时作掺杂工序，能够在设计光刻图形时，对划片道也设计掺杂区域，即不单独新增对划片道的掺杂工序，也不增加产品成本。

本发明所解决的技术问题为：

如何降低晶圆切割崩边现象的影响，从而提高芯片的良品率。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种改善划片崩边的方法，包括以下步骤:

步骤一：晶圆准备

选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，电阻率5.0-6.5Ω/cm，厚度220μm±10％；

步骤二：划片道掺杂

在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；

沉积后，在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；

使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％。

作为本发明进一步的方案：步骤二中划片道掺杂采用磷掺杂。

作为本发明进一步的方案：步骤二中磷液态源淀积的时间为25min。

作为本发明进一步的方案：步骤二中磷源推进的时间为150min。

本发明的有益效果：

(1)本发明中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序，让划片道变得“疏松”，从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度，提高晶圆的划片质量；

(2)本发明中是对芯片功能区进行掺杂工序的同时，对划片道区域也同时作掺杂工序，能够在设计光刻图形时，对划片道也设计掺杂区域，既不单独新增对划片道的掺杂工序，也不增加产品成本。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是现有技术中常规划片道的结构示意图；

图2是现有技术中晶圆崩边损伤的结构示意图；

图3是本发明划片道掺杂的结构示意图；