[发明专利]一种改善划片崩边的方法

权利要求书

1.一种改善划片崩边的方法，其特征在于，包括以下步骤:

步骤一：晶圆准备

选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，电阻率5.0-6.5Ω/cm，厚度220μm±10％；

步骤二：划片道掺杂

在炉温1120℃，氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积；

沉积后，在炉温1140℃，氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进；

使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10％，结深12μm±10％。

2.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中划片道掺杂采用磷掺杂。

3.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中磷液态源淀积的时间为25min。

4.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤二中磷源推进的时间为150min。

5.根据权利要求1所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，步骤一中的晶圆准备是通过双向裁剪台(1)对晶圆料两面进行双向同步裁切。

6.根据权利要求5所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，所述双向裁剪台(1)整体呈U型结构，且在双向裁剪台(1)的上方固定设置有晶圆裁切台(101)，所述双向裁剪台(1)的内部通过Y向丝杆(102)设置有移动基座(103)，移动基座(103)上设置有龙门架(2)，所述龙门架(2)两部上下两侧设置有用于晶圆料裁切的裁切机构。

7.根据权利要求6所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，两个裁切机构结构完全一致。

8.根据权利要求7所述的一种改善划片崩边的方法,其特征在于，所述裁切机构包括固定设置在龙门架(2)内部的横向导向块(201)，横向导向块(201)内部在竖直方向上开设有贯穿的条形槽口，横向导向块(201)的条形槽口上滑动连接有驱动腔体(203)，所述驱动腔体(203)的内部竖直设置有Z向丝杆(204)，Z向丝杆(204)上螺纹连接有纵向导向块(205)，纵向导向块(205)经两侧的连接板贯穿驱动腔体(203)正面的滑槽连接裁切安装板(206)，裁切安装板(206)上设置有裁切电机(207)。