[发明专利]一种单面ALD方式制备新型PERC电池的方法

权利要求书

1.一种单面ALD方式制备新型PERC电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：在单面氧化铝薄膜沉积之前，通过臭氧氧化生成一层致密的氧化硅，再依次进行单面氧化铝沉积，氮化硅沉积，然后印刷金属背电场，形成新型PERC电池。

2.如权利要求1所述的一种单面ALD方式制备新型PERC电池的方法，其特征在于，臭氧氧化使用的臭氧流量为5～150sccm，氧化时间为1～10min，氧化温度为150～300℃。

3.如权利要求1所述的一种单面ALD方式制备新型PERC电池的方法，其特征在于，氧化铝沉积采用臭氧作为氧源，沉积温度为150～300℃。

4.如权利要求1所述的一种单面ALD方式制备新型PERC电池的方法，其特征在于，氮化硅沉积采用氮气作为氮源，沉积温度为150～300℃。

5.权利要求1～4任意一项所述方法制备的新型PERC电池，其特征在于，从上到下依次包括减反射层、掺杂层、氧化硅层、氧化铝层、氮化硅层和铝背场，所述减反射层、掺杂层和氧化硅层上间隔地设有正面金属电极。

6.根据权利要求5所述的一种新型PERC电池，其特征在于，所述新型PERC电池为单面电池，所述氮化硅层的厚度为110～180nm。

7.权利要求1～4任意一项所述方法制备的新型PERC电池，其特征在于，从上到下依次包括减反射层、掺杂层、氧化硅层、氧化铝层、氮化硅层和铝栅线，所述减反射层、掺杂层和氧化硅层上间隔地设有正面金属电极。

8.根据权利要求7所述的一种新型PERC电池，其特征在于，所述新型PERC电池为双面电池，所述氮化硅层的厚度为85～105nm。