[发明专利]一种发光器件制作方法及发光器件

权利要求书

1.一种发光器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将LED芯片固定在支架上表面；

S2、在所述LED芯片上表面铺设一层第一硅胶层，在所述第一硅胶层上铺设一层光转换层；

S3、在所述光转换层四周填充一层光反射层；

S4、在所述光转换层上表面和所述光反射层上表面铺设一层第二硅胶层。

2.根据权利要求1所述的发光器件制作方法，其特征在于，在步骤S1中：

第一硅胶层通过非接触式点胶或者喷射方式涂覆在所述LED芯片上表面。

3.根据权利要求1所述的发光器件制作方法，其特征在于，在步骤S2中：

所述第一硅胶层在所述光转换层的挤压下，形成粘附层和斜坡件，所述粘附层位于所述LED芯片与所述光转换层之间，所述斜坡件围绕在所述光转换层的至少两个相对的侧面。

4.一种发光器件，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的制作方法制作而得，包括支架、LED芯片、第一硅胶层、光转换层、光反射层与第二硅胶层；

所述LED芯片固定在所述支架上；

所述第一硅胶层铺设在所述LED芯片的上表面，所述光转换层铺设在所述第一硅胶层上；

所述光反射层铺设在所述光转换层四周；

所述第二硅胶层铺设于所述光转换层上表面与所述光反射层上表面。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一硅胶层包括：粘附层和斜坡件，所述粘附层填充于所述LED芯片和所述光转换层之间，所述斜坡件设在所述光转换层的至少两个相对的侧面。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述斜坡件为类三角形，其最高点低于所述光转换层的上表面。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述LED芯片上设有电极，所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的部分上表面，或所述光转换层覆盖除所述电极所在区域外的所述LED芯片的整个上表面。

8.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层设有一对向内凹陷的内槽，所述内槽位于导线与所述LED芯片连接处。

9.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述光反射层铺设在所述光转换层四周，铺设于所述支架上、所述斜坡件及所述LED芯片上未被所述光转换层覆盖的部分。

10.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述光转换层为荧光膜或荧光片。