[发明专利]一种UVC外延结构及UVC芯片在审
| 申请号： | 202111476851.X | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114038962A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 阚钦 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 uvc 外延 结构 芯片 | ||
1.一种UVC外延结构，其特征在于，所述UVC外延结构包括UVC MQW层、UVA MQW层、P型ALGAN层、N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层铺设在所述UVC MQW层和P型ALGAN层之间，所述UVC MQW层的下表面依次铺设N型ALGAN层和基层，所述UVA MQW层在通电后发出可见光。
2.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的发出可见光的波长为360nm-430nm。
3.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的阱层厚度为10A至50A。
4.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的垒层厚度为10A至50A。
5.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的阱垒对数为一对或两对。
6.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVC MQW层的出光方向与所述UVA MQW层的出光方向为同向。
7.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVC MQW层的出光方向与所述UVA MQW层的出光方向为反向。
8.根据权利要求1所述的UVC外延结构，其特征在于，所述UVA MQW层的AL掺杂量低于所述UVC MQW层的AL掺杂量，且所述UVA MQW层的AL掺杂量处于预设的所述P型ALGAN层的AL掺杂量的浮动区间内。
9.一种UVC芯片，其特征在于，所述UVC芯片包括权利要求1至8任一项所述的UVC外延结构、P电极和N电极，所述P电极设置在所述P型ALGAN层上，所述N电极设置在所述N型ALGAN层上。
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