[发明专利]平面式磁化自旋轨道磁性组件在审

专利信息
申请号: 202111459274.3 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN116234418A 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 李欣翰;魏拯华;王艺蓉;杨姗意;张耀仁;陈芳名 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H10N52/00 分类号: H10N52/00;H10N52/80
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 张燕华
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 平面 磁化 自旋 轨道 磁性 组件
【权利要求书】:

1.一种平面式自旋轨道磁性组件,包括:

重金属层;

反铁磁层,设置于所述重金属层上;以及

磁穿隧接面,设置于所述反铁磁层上,

其中所述磁穿隧接面包括:

自由层;

阻障层,设置于所述自由层上;以及

固定层,设置于所述阻障层上,

其中,所述自由层的膜面形状为圆角矩形。

2.根据权利要求1所述的平面式自旋轨道磁性组件,其中所述固定层的膜面形状为椭圆形,且所述椭圆形的膜面面积小于所述圆角矩形的膜面面积。

3.根据权利要求2所述的平面式自旋轨道磁性组件,其中所述阻障层、所述自由层以及所述反铁磁层的膜面形状为所述圆角矩形。

4.如权利要求3所述的平面式自旋轨道磁性组件,更包括:

覆盖层,设置于所述固定层上,

其中所述覆盖层以及所述固定层的膜面形状为所述椭圆形。

5.如权利要求3所述的平面式自旋轨道磁性组件,更包括:

上电极,设置于所述覆盖层上。

6.如权利要求1所述的平面式自旋轨道磁性组件,其中所述反铁磁层的膜面形状与所述自由层的膜面形状相同。

7.如权利要求3所述的平面式自旋轨道磁性组件,其中所述重金属层的膜面形状为直角矩形或圆角矩形,其中所述直角矩形或所述圆角矩形的膜面面积大于所述椭圆形的膜面面积。

8.如权利要求2所述的平面式自旋轨道磁性组件,更包括:

第一通孔以及第二通孔,设置于所述重金属层之下;

第一下电极,藉由所述第一通孔耦接至所述重金属层;以及

第二下电极,藉由所述第二通孔耦接至所述重金属层,

其中所述第一通孔以及所述第二通孔间于膜面平面上的连线与所述固定层膜面形状中所述椭圆形的短轴方向具备夹角,或,所述自由层的长边方向与所述固定层膜面形状中所述椭圆形的长轴方向具备所述夹角,其中所述夹角不为零度。

9.如权利要求1所述的平面式磁化自旋轨道磁性组件,其中所述固定层的材料为具有平面式磁矩的铁磁材料,所述固定层的磁矩向量为平行于膜面而排列。

10.如权利要求1所述的平面式磁化自旋轨道磁性组件,其中用于制造所述平面式磁化自旋轨道磁性组件的半导体制程中对于所述固定层的退火方向与所述固定层的膜面形状的长轴方向相同。

11.如权利要求1所述的平面式磁化自旋轨道磁性组件,其中所述自由层的材料为具有水平异相性的铁磁材料,所述自由层的磁矩向量为平行于膜面而排列。

12.如权利要求1所述的平面式磁化自旋轨道磁性组件,其中所述重金属层透过电极接点获得输入电流而产生自旋电流,以使所述磁穿隧接面发生磁化翻转。

13.一种平面式自旋轨道磁性组件,包括:

重金属层;以及

反铁磁层,设置于所述重金属层上;

磁穿隧接面,设置于所述反铁磁层上;

第一通孔以及第二通孔,设置于所述重金属层之下;

第一下电极,藉由所述第一通孔耦接至所述重金属层;以及

第二下电极,藉由所述第二通孔耦接至所述重金属层,

其中所述磁穿隧接面包括:

自由层;

阻障层,设置于所述自由层上;以及

固定层,设置于所述阻障层上,其中所述固定层的膜面形状为椭圆形,

其中所述第一通孔以及所述第二通孔间于膜面平面上的连线与所述固定层膜面形状中所述椭圆形的短轴方向具备第一夹角,其中所述第一夹角不为零度,或,所述自由层的长边方向与所述固定层膜面形状中所述椭圆形的长轴方向具备第二夹角,其中所述第二夹角不为直角。

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