[发明专利]基板及其制备方法和拼接面板在审
申请号: | 202111435482.X | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114141792A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 王虎 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G09F9/33;G09F9/35 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 拼接 面板 | ||
1.一种基板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括正面、侧面和背面,所述正面和所述背面相对设置,所述侧面设置在所述正面和所述背面之间;
第一导电层,所述第一导电层设置在所述正面上;所述第一导电层包括多根第一走线,所述第一走线靠近所述侧面;
保护层,所述保护层设置在所述第一导电层上,所述保护层设置有多个接触孔,所述接触孔靠近所述侧面,一所述接触孔裸露一所述第一走线的部分;
多个导电部,一所述导电部对应设置在一所述接触孔内且连接于所述第一走线,所述导电部和所述第一走线叠设置形成一搭接面,所述搭接面靠近所述侧面;
第二导电层,所述第二导电层设置在所述基底的侧面,所述第二导电层包括多根第二走线,所述第二走线连接于所述搭接面。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述第二导电层还包括导电垫,所述导电垫位于所述第二走线远离所述导电部的一侧,所述导电垫连接于所述第二走线。
3.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板还包括第三导电层,所述第三导电层设置在所述基底的背面,所述第三导电层包括第三走线和连接于所述第三走线的导电垫;所述第三走线连接于所述第二走线。
4.根据权利要求3所述的基板,其特征在于,所述基板还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述第三导电层远离所述基底的一面上,所述绝缘层上设置有通孔,所述通孔靠近所述侧面,所述通孔裸露所述第三走线的部分;
所述基板还包括多个增厚部,所述增厚部由导电材料制成,一所述增厚部对应设置在一所述通孔内且连接于所述第三走线,所述增厚部和所述第三走线叠设置形成一连接面,所述连接面靠近所述侧面;
所述第二走线连接于所述连接面。
5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述搭接面与所述侧面齐平。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的基板,其特征在于,所述基板还包括覆盖层,所述覆盖层覆盖所述第二走线和所述导电部。
7.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板还包括发光器件,所述保护层设置有多个像素开口,所述发光器件设置在所述像素开口内。
8.一种拼接面板,其特征在于,包括至少两个拼接设置的如权利要求1-7任意一项所述的基板。
9.一种基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基底,所述基底包括正面、侧面和背面,所述正面和所述背面相对设置,所述侧面设置在所述正面和所述背面之间;
在所述基底的正面上形成第一导电层;所述第一导电层包括多根第一走线,所述第一走线靠近所述侧面;
在所述第一导电层上形成保护层,所述保护层设置有多个接触孔,所述接触孔靠近所述侧面,一所述接触孔裸露所述第一走线的部分;
在所述第一走线上且在所述接触孔内形成导电部;所述导电部和所述第一走线叠设置形成一搭接面,所述搭接面靠近所述侧面;
在所述基底的侧面和所述搭接面上形成第二导电层,所述第二导电层包括多根第二走线,所述第二走线连接于所述搭接面。
10.根据权利要求9所述的基板的制备方法,其特征在于,在所述第一导电层上形成保护层,包括以下步骤:
在所述第一导电层上形成保护层;
在所述保护层对应于所述第一走线的区域和所述基底的预留区域进行挖孔形成接触孔,所述基底的预留区域自所述基底的边缘向所述第一走线的端面延伸,所述接触孔裸露所述第一走线的部分。
11.根据权利要求10所述的基板的制备方法,其特征在于,在所述第一走线上且在所述接触孔内形成导电部,包括以下步骤:
采用电镀的方式或沉积的方式在所述第一走线上且在所述接触孔内形成导电部;
去除对应于所述基底的预留区域的部分,并裸露出所述导电部和所述第一走线叠设置形成一搭接面。
12.根据权利要求11所述的基板的制备方法,其特征在于,采用电镀的方式在所述第一走线上且在所述接触孔内形成导电部;
采用研磨的方式去除对应于所述基底的预留区域的部分,并裸露出所述导电部和所述第一走线叠设置形成一搭接面,所述搭接面与所述侧面齐平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的