[发明专利]一种高效LED晶粒分选方法在审
| 申请号： | 202111435230.7 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114141666A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郭祖福;官婷;彭超;刘奇艳 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 刘伊旸;周晓艳 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 led 晶粒 分选 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效LED晶粒分选方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、在第一次分选时将多个晶圆上的散Bin汇总至同一个指定等级内；
步骤2、将各个散Bin分选至对应的电性等级内。
2.根据权利要求1所述的高效LED晶粒分选方法，其特征在于，在所述步骤1中，多个晶圆上的散Bin排满第一片蓝膜后，继续排放在下一片蓝膜上；在所述步骤2中，对至少部分散Bin进行再分选：将蓝膜上的部分散Bin分选至对应的电性等级内，所有蓝膜上的剩余部分散Bin汇总后再分选。
3.根据权利要求2所述的高效LED晶粒分选方法，其特征在于，所述步骤1和步骤2中对于散Bin的汇总操作为：系统转档时，分选机系统监控落Bin数量，将落Bin数量不超过N颗的电性等级的等级号变为指定等级的等级号，同时保留各个散Bin的原始电性等级数据，N为预设的散Bin最大芯片数量。
4.根据权利要求3所述的高效LED晶粒分选方法，其特征在于，10≤N≤100。
5.根据权利要求4所述的高效LED晶粒分选方法，其特征在于，其特征在于，所述步骤2中的再分选次数为两次及以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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