[发明专利]一种钙钛矿CsPbCl3有效

专利信息
申请号: 202111385655.1 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114293248B 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 郭鹏飞;刘达 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14;C30B25/16;C30B29/62;C30B29/12;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 杨斌华
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 钙钛矿 cspbcl base sub
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法,所述CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线中CsPbCl3纳米线与CsPbI3纳米线之间的界面为陡峭界面;

所述CsPbCl3纳米线为单晶结构纳米线,光致发光波长为420nm;所述CsPbI3纳米线为单晶结构纳米线,光致发光波长为700nm;

所述CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线长度为10-30微米,异质结处直径300-700纳米;

其特征在于:所述制备方法,包括如下步骤:

第一步,分别配取PbCl2/CsCl和PbI2/CsI,并将配好的PbCl2/CsCl和PbI2/CsI分别装入不同的玻璃舟内,将装有PbCl2/CsCl的玻璃舟标为1号舟,将装有PbI2/CsI的玻璃舟标为2号舟;

第二步,取锡粉,溶于酒精中,配制锡溶液,将配制好的锡溶液滴入Si/SiO2衬底之上,放入鼓风干燥箱中挥发酒精,形成带有锡颗粒的Si/SiO2衬底;

第三步,将1号舟推至可控双温区管式炉的左温区加热炉的中心位置,将2号舟推至于进气口与1号舟之间,位于管式炉加热区之外;将滴有锡颗粒的Si/SiO2衬底放置在右温区前端;

第四步,将管式炉抽真空,通入载气后,右温区在20min内先升温至580℃,之后左温区在之后20min升温至610℃,维持此温度40min后,左温区在20min内降温至580℃,然后通过推进装置将2号舟迅速推进加热区中间位置,恒温20-40min,得到CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线;

抽真空后,炉内气压为1.5-4Torr,所述载气为氮气和氢气,其中用于生长CsPbCl3的氮气的流速为60sccm,用于生长CsPbI3的氮气的流速为40sccm,氢气的流速为35sccm。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法,其特征在于:第一步中所述PbCl2和CsCl的摩尔比为2:1,PbI2和CsI的摩尔比为2:1。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法,其特征在于:所述PbCl2、CsCl、PbI2和CsI的纯度均≧99.99%。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法,其特征在于:第二步中所述锡溶液的浓度为0.2mg/mL。

5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿CsPbCl3/CsPbI3异质结纳米线的制备方法,其特征在于:第四步中所述升温速率为20-25℃/min,降温速率为2-3℃/min。

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