[发明专利]一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜中包括Hg_xCd_1-xTe量子点，其中，0≤x≤1；其制备方法包括以下步骤：

步骤1：以氧化镉或硬脂酸镉作为镉源，在氮气氛围保护下利用油酸溶解并分散在1-十八烯中，在100-150℃下搅拌溶解镉源得到澄清溶液，然后加热至300℃维持30min，随后降温至250℃，得到镉前驱体溶液；以碲粉作为碲源，利用三辛基膦溶解并分散在1-十八烯中，在80-160℃下溶解碲源得到澄清溶液随后冷却至室温，得到碲前驱体溶液；将所述的碲前驱体溶液注入到镉前驱体溶液中并维持生长时间为0.5-10min，得到不同发射光峰位的CdTe量子点；将所制备的CdTe量子点依次分散在甲醇、乙醇中进行离心后，分散于氯仿中，得到CdTe量子点溶液；

步骤2：以碘化汞或氯化汞作为汞源，将其分散在含有氢氧化钾及烷基硫醇的甲醇溶液中，利用烷基硫醇溶解汞源得到烷基硫醇汞白色沉淀，用甲醇及乙醚洗涤后离心，真空干燥后用氯仿溶解，得到汞前驱体溶液；

步骤3：氮气保护下，在清洗干净和紫外臭氧处理的PET上旋涂步骤3所得的CdTe量子点溶液，退火处理后将旋涂层朝上放置在步骤2中的含汞前驱体溶液中，随后进一步退火得到柔性碲镉汞量子点光探测薄膜；所述的PET为涂覆有掺铟的二氧化锡层的聚对苯二甲酸乙二酯。

2.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的镉源和碲源的摩尔比为1～5：1，所述镉源和油酸的摩尔比为1：2～4，所述镉前驱体溶液的浓度为0.01-1M。

3.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的碲源和三辛基膦的摩尔比为1：2～4，所述碲前驱体溶液的浓度为0.01-1M。

4.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的CdTe量子点溶液的浓度为0.01～1M。

5.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的汞源、氢氧化钾及烷基硫醇摩尔比为1：2～5：2～5，所述烷基硫醇为辛硫醇、十二烷基硫醇、十六烷基硫醇及十八烷基硫醇中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的汞前驱体溶液的浓度为0.01～0.5M。

7.根据权利要求1所述的柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3中旋涂的工艺参数为：旋涂CdTe量子点溶液100-200μL旋涂速度1500-5000rpm/min，旋涂时间30-60s；所述退火的工艺参数为：退火温度50-100℃，退火时间10-60min；所述旋涂及退火处理的循环次数为1-5次。所述放置的时间为60～180s。