[发明专利]一种硅片上下料系统在审
申请号: | 202111354801.4 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN114242633A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 林佳继;周欢;时祥 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 上下 系统 | ||
1.一种硅片上下料系统,其特征在于:包括导片机装置、硅片翻转装置和搬运装置,导片机装置包括上料导片组件、下料导片组件以及连接上料导片组件和下料导片组件的横移输送机构,上料导片组件控制硅片上料工序,下料导片组件控制硅片下料工序,横移输送机构对上料导片组件和下料导片组件的花篮进行流转,硅片翻转装置包括硅片翻转机构、硅片横移机构以及硅片偏移机构,硅片横移机构和硅片偏移机构控制硅片翻转机构的移动,硅片翻转机构控制对硅片的吸取以及翻转,搬运装置控制硅片在主机与硅片翻转装置间的流转。
2.根据权利要求1所述的一种硅片上下料系统,其特征在于:所述上料导片组件包括上料来料对接输送机构、上料缓存输送机构、上料花篮升降机构、上料花篮输送机构、上料硅片输送机构、上料硅片缓存机构以及上料接片机构,上料花篮输送机构位于上料花篮升降机构下侧,下料导片组件包括下料来料对接输送机构、下料缓存输送机构、下料花篮升降机构、下料花篮输送机构、下料硅片输送机构、下料硅片缓存机构以及下料接片机构,下料花篮输送机构位于下料花篮升降机构下侧,横移输送机构分别与上料花篮输送机构、下料花篮输送机构连接,花篮经上料花篮输送机构、横移输送机构以及下料花篮输送机构在上料导片组件和下料导片组件间流转。
3.根据权利要求1所述的一种硅片上下料系统,其特征在于:所述硅片翻转机构包括吸取组件,吸取组件包括翻转电机和吸取构件,翻转电机和吸取构件控制硅片翻转,吸取构件设置有两组,一组翻转电机连接两组吸取构件,一组吸取构件包括第一吸取板和吸盘,另一组吸取构件包括第二吸取板和吸盘,翻转电机输出轴分别连接第一吸取板和第二吸取板,若干吸盘依次安装在第一吸取板和第二吸取板,第一吸取板和第二吸取板上的吸盘间距与两组上料接片机构的间距相配,吸盘将硅片的吸取或放置。
4.根据权利要求1所述的一种硅片上下料系统,其特征在于:所述搬运装置包括花篮定位移动机构、花篮硅片顶升机构、硅片规整机构、石英舟硅片顶升机构、吸盘横移机构、石英舟定位移动机构、石英舟翻转搬运组件和石英舟托输送机构,花篮定位移动机构、花篮硅片顶升机构、石英舟硅片顶升机构、吸盘横移机构以及石英舟定位移动机构控制硅片的搬运流转,硅片规整机构对花篮硅片顶升机构顶升以及石英舟硅片顶升机构内的硅片进行调整,石英舟翻转搬运组件对石英舟进行搬运和翻转,石英舟托输送机构与主机连接,控制硅片输入或输出主机。
5.根据权利要求4所述的一种硅片上下料系统,其特征在于:所述花篮定位移动机构设置有两组,包括用于承载花篮的承托组件和用于移动承托组件的驱动组件,驱动组件驱动承托组件,用于硅片的搬运;花篮硅片顶升机构包括承载机架和顶升组件,承载机架包括顶升动力组件,顶升动力组件控制顶升组件升降,顶升组件包括顶升连接板和顶升件,顶升件包括顶升框架组件、顶齿固定板和顶齿组件,顶齿组件通过顶齿固定板安装在顶升框架板,顶齿组件由若干顶齿构成,一组顶齿设置有若干插槽,硅片导入或导出插槽。
6.根据权利要求5所述的一种硅片上下料系统,其特征在于:所述顶升框架组件由两组水平对称分布的顶升框架板构成,一组顶升件设置有两组顶齿组件,一组顶齿组件与一组顶升框架板对应,顶齿固定板与顶升框架板固设连接,顶齿组件与顶齿固定板固设连接,顶齿固定板与顶升框架板之前设置有连接稳定装置,连接稳定装置位于顶齿固定板与顶升框架板之间,连接稳定装置包括连接稳定固定部和连接稳定调节部,连接稳定固定部和连接稳定调节部固设连接,连接稳定固定部与顶齿固定板下端面固设连接,连接稳定调节部与顶升框架板位置相对,连接稳定调节部上固设有连接稳定穿孔,连接稳定穿孔设置有连接稳定调节杆,顶升框架板固设有框架调节腰孔,连接稳定调节杆伸入框架调节腰孔,通过调节连接稳定调节杆伸入框架调节腰孔的长度控制顶齿固定板相对于顶升框架板的位置,相邻的顶齿连接,插槽上端连通设置有导腔每组顶齿组件上相邻的插槽间距保持一致,使硅片依次导入插槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造