[发明专利]功率合成器、高频模块和雷达物位计

权利要求书

1.一种功率合成器，其特征在于，包括功率合成环、多个输入端口、一个输出端口和至少一个隔离端口，多个所述输入端口、所述输出端口和至少一个所述隔离端口均连接至所述功率合成环，所述隔离端口上设有吸波材料。

2.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述输出端口沿所述功率合成环的径向延伸，多个所述输入端口关于所述输出端口对称设置，所述隔离端口设置有多个并关于所述输出端口对称设置，且多个所述输入端口靠近所述输出端口设置，多个所述隔离端口远离所述输出端口设置。

3.根据权利要求2所述的功率合成器，其特征在于，所述输入端口和所述隔离端口均设置有两个，且两个所述输入端口位于两个所述隔离端口与所述输出端口之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率合成器，其特征在于，所述输入端口的输入端设有第一直角弯头，所述第一直角弯头的外壁面上设有阶梯型的第一过渡段。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的功率合成器，其特征在于，所述吸波材料呈劈尖状或楔形状。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的功率合成器，其特征在于，所述功率合成器为H面波导功率合成器，且工作频带为70-90GHz。

7.一种高频模块，其特征在于，包括波导装置和如权利要求1至6中任一项所述的功率合成器，所述波导装置包括固定连接的第一波导装置和第二波导装置，所述功率合成器设置在所述第一波导装置的靠近所述第二波导装置的第一端面以及所述第二波导装置的靠近所述第一波导装置的第二端面上，所述第一波导装置和所述第二波导装置至少之一上设有第一导波通路，所述功率合成器的输出端口与所述第一导波通路连接。

8.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，所述功率合成器的第一过渡段包括靠近所述功率合成器的输入端口的输入端的第一阶梯面，所述第一阶梯面为所述第一波导装置和所述第二波导装置的分型面。

9.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，还包括定向耦合器，所述定向耦合器设置在所述第一波导装置的第一端面和所述第二波导装置的第二端面上，所述定向耦合器包括四个端口，其中第一个端口为输入端口并与所述功率合成器的输出端口连接，第二个端口为输出端口并与所述第一导波通路连接，第三个端口为接收端口，第四个端口上设有吸波材料。

10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，所述定向耦合器为H面波导定向耦合器，所述定向耦合器的接收端口设有第二直角弯头，所述第二直角弯头的外壁面上设有阶梯型的第二过渡段，所述第二过渡段包括靠近所述定向耦合器的接收端口的接收端的第二阶梯面，所述第二阶梯面为所述第一波导装置和所述第二波导装置的分型面。

11.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，所述第一导波通路的与所述定向耦合器连接的一端为矩形状，所述第一导波通路的另一端为圆形状，所述第一导波通路的靠近所述定向耦合器的一端的侧壁面上设有阶梯状的第三过渡段；

或者，所述高频模块还包括波导转换装置，所述波导转换装置内设有第二导波通路，所述第二导波通路的一端与所述第一导波通路连接，且呈矩形状，所述第二导波通路的另一端为圆形状，所述第二导波通路的靠近所述第一导波通路的一端的侧壁面上设有阶梯状的第三过渡段。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的高频模块，其特征在于，所述第一导波通路设置在所述第一波导装置和所述第二波导装置中的一个上，并沿所述波导装置的厚度方向朝远离所述第一波导装置和所述第二波导装置中另一个的方向延伸；

或者，所述第一波导装置的第一端面和所述第二波导装置的第二端面上分别设有第一波导腔和第二波导腔，以形成所述第一导波通路，且所述第一导波通路沿所述波导装置的长度方向延伸。