[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、发光装置在审
| 申请号: | 202111280980.1 | 申请日: | 2021-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN114023770A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 徐佳伟;杜芸;李必生;张志;张建英;郭总杰;范文金;董钊 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方瑞晟科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 发光 装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
位于所述衬底上的第一导电层,所述第一导电层包括多个第一镂空区;
第二导电层,位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧,且与所述第一导电层绝缘设置;所述第二导电层包括多个导电垫组,所述导电垫组包括至少一个导电垫;所述导电垫在所述第一导电层上的正投影位于所述第一镂空区以内;
多个保护电极,所述保护电极位于所述第一镂空区内,且所述导电垫在所述衬底上的正投影位于所述保护电极在所述衬底上的正投影以内;
其中,对于正投影存在交叠区的所述保护电极和所述导电垫,所述保护电极的电压大于或等于所述导电垫的电压。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多个元器件,一个所述元器件与同一组所述导电垫组电连接;
其中,至少部分所述元器件在所述衬底上的正投影位于所述保护电极在所述衬底上的正投影以内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,各所述保护电极的电压相同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括多条沿第一方向延伸的驱动线,所述保护电极和所述驱动线电连接,且所述保护电极的电压等于所述驱动线的驱动电压。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括阵列排布的多个走线组,所述走线组包括沿所述第一方向延伸、且沿第二方向依次排布的所述驱动线、接地线和电源线;所述第一方向和所述第二方向相交;
部分所述保护电极位于所述接地线和所述驱动线之间,剩余部分所述保护电极位于所述接地线和所述电源线之间;
其中,位于所述接地线和所述驱动线之间的所述保护电极与所述驱动线直接电连接,位于所述接地线和所述电源线之间的所述保护电极与相邻所述走线组中的所述驱动线通过架桥结构电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括所述第一镂空区、第二镂空区、第三镂空区和第四镂空区;
所述第二镂空区被配置为隔开所述驱动线和所述接地线;所述第三镂空区被配置为隔开所述电源线和所述接地线,且所述驱动控制器件在所述第一导电层上的正投影位于所述第三镂空区以内;所述第四镂空区被配置为隔开所述电源线和相邻所述走线组中的所述驱动线;
其中,部分所述第一镂空区和所述第二镂空区连通设置,剩余部分所述第一镂空区和所述第三镂空区连通设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述保护电极的电压相同。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层还包括沿第一方向延伸、且沿第二方向排布的多条第一保护走线和多条第二保护走线;所述第一方向和所述第二方向相交;
其中,部分所述保护电极和所述第一保护走线电连接,剩余部分所述保护电极和所述第二保护走线电连接;所述第一保护走线电连接的各所述保护电极的电压相同,所述第二保护走线电连接的各所述保护电极的电压相同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括阵列排布的多个走线组,所述走线组包括沿所述第一方向延伸、且沿所述第二方向依次排布的驱动线、所述第一保护走线、接地线、所述第二保护走线和电源线;
其中,所述第一保护走线和所述第二保护走线中的至少一条的电压大于或等于所述驱动线的驱动电压。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括所述第一镂空区、第二镂空区和第三镂空区;
所述第二镂空区被配置为隔开所述驱动线和所述接地线;所述第三镂空区被配置为隔开所述电源线和所述接地线,且所述驱动控制器件在所述第一导电层上的正投影位于所述第三镂空区;
其中,部分所述第一镂空区连通在一起,并和所述第二镂空区连通设置;剩余的部分所述第一镂空区分别和所述第三镂空区连通设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





