[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、像素电路

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、像素电路，通过设置有源层包括导电沟道，以及位于导电沟道相对两侧的源极和漏极，导电沟道的掺杂浓度小于源极的掺杂浓度以及漏极的掺杂浓度；导电沟道包括至少一个子导电沟道，子导电沟道包括源极和漏极连线方向上依次设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，子导电沟道形成凸起结构和/或凹陷结构，且至少一个子导电沟道的第一导电部和/或第三导电部倾斜设置，可以使得第一导电部和/或第三导电部的电阻较大，进而使得导电沟道的电阻较大，进而可以降低薄膜晶体管的漏电流，使得将薄膜晶体管应用于显示面板时，显示面板的显示效果可以得到提升。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、像素电路。

背景技术

显示面板通常采用薄膜晶体管作为像素电路的开关晶体管和驱动晶体管，以保证发光二极管稳定发光。

现有技术中，薄膜晶体管通常采用低温多晶硅工艺进行制备，薄膜晶体管制备完成之后，漏电流较大，使得将薄膜晶体管应用于显示面板的像素电路时，显示面板的显示效果较差。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、像素电路，以实现降低薄膜晶体管的漏电流，提升显示面板的显示效果，同时保证薄膜晶体管的制备成本较低。

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：

衬底和衬底一侧的有源层，有源层包括导电沟道，以及位于导电沟道相对两侧的源极和漏极，导电沟道的掺杂浓度小于源极的掺杂浓度以及漏极的有源层的掺杂浓度；

其中，在导电沟道包括至少一个子导电沟道，子导电沟道包括源极和漏极连线方向上依次设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，子导电沟道形成凸起结构和/或凹陷结构，且至少一个子导电沟道的第一导电部和/或第三导电部倾斜设置。

可选的，薄膜晶体管还包括有源层靠近衬底一侧的中间结构层，中间结构层包括与凸起结构一一对应的向有源层凸起的凸部，和/或中间结构层包括与凹陷结构一一对应的向衬底凹陷的凹部。

可选的，薄膜晶体管还包括栅极，栅极位于有源层远离衬底的一侧；

薄膜晶体管还包括遮光层，遮光层位于衬底和有源层之间，遮光层包括在薄膜晶体管厚度方向上与凸起结构一一对应的遮光结构，在沿源极和漏极连线的方向上，位于最外侧的遮光结构的两最外侧边缘之间的距离小于栅极的宽度，且沿源极和漏极连线方向上，位于最外侧的遮光结构的两最外侧边缘在衬底上的垂直投影位于栅极靠近源极的边缘和栅极远离源极的边缘在衬底上的垂直投影内；

可选的，遮光层包括一个遮光结构，沿源极和漏极连线的方向上，遮光结构的最外侧边缘与栅极对应的最外侧边缘的距离大于设定距离；

可选的，设定距离大于或等于0.3微米。

可选的，遮光结构包括与第一导电部对应的第一侧面、与第二导电部对应的顶面、与第三导电部对应的第二侧面，其中第一侧面为斜面和/或第二侧面为斜面；

可选的，第一侧面的倾斜角度大于或等于45度且小于或等于60度和/或第二侧面的角度大于或等于45度且小于或等于60度。

可选的，遮光结构的厚度大于或等于50纳米且小于或等于100纳米。

可选的，中间结构层包括缓冲层，缓冲层位于遮光层和有源层之间；

可选的，缓冲层至少包括自遮光结构至有源层层叠设置的氮化硅层、第一氧化硅层；

可选的，缓冲层还包括氮化硅层远离第一氧化硅层的第二氧化硅层。

可选的，薄膜晶体管还包括栅极，栅极位于有源层远离衬底的一侧；