[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、像素电路

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管采用低温多晶硅工艺制备，所述薄膜晶体管的制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成有源层，所述有源层包括导电沟道、以及位于导电沟道相对两侧的源极和漏极，所述导电沟道的掺杂浓度小于所述源极的掺杂浓度以及所述漏极的掺杂浓度；

其中，所述导电沟道包括至少一个子导电沟道，所述子导电沟道包括自所述源极和漏极连线方向上依次设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述子导电沟道形成凸起结构，或者形成凸起结构和凹陷结构，且至少一个所述子导电沟道的所述第一导电部和/或所述第三导电部倾斜设置；

在所述衬底的一侧形成有源层之前，还包括：

在所述衬底的一侧形成遮光层，所述遮光层包括至少一个遮光结构；

所述在所述衬底的一侧形成有源层包括：

在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成待晶化层；

采用晶化工艺晶化所述待晶化层形成晶化层，所述晶化层包括在所述薄膜晶体管厚度方向上与所述遮光结构一一对应的凸起结构；

在形成所述晶化层之后，还包括：

所述晶化层远离所述衬底的一侧形成栅极，其中在沿所述源极和所述漏极连线的方向上，位于最外侧的所述遮光结构的两最外侧边缘之间的距离小于所述栅极的宽度，且沿所述源极和所述漏极连线方向上，位于最外侧的遮光结构的两最外侧边缘在所述衬底上的垂直投影位于所述栅极靠近所述源极的边缘和所述栅极远离所述源极的边缘在衬底上的垂直投影内；

所述在所述衬底的一侧形成有源层还包括：

以所述栅极为掩膜对所述晶化层进行掺杂，形成所述源极和漏极；

所述栅极覆盖所述有源层中的所述导电沟道，在沿所述源极和所述漏极连线的方向上，所述导电沟道的尺寸等于所述薄膜晶体管的所述栅极的宽度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成遮光层之后，在所述衬底的一侧形成有源层之前，还包括：

在所述遮光层远离所述衬底的一侧形成中间结构层。

3.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制备方法制备，所述薄膜晶体管包括：

衬底和所述衬底一侧的有源层，所述有源层包括导电沟道，以及位于导电沟道相对两侧的源极和漏极，所述导电沟道的掺杂浓度小于所述源极的掺杂浓度以及所述漏极的掺杂浓度；

其中，所述导电沟道包括至少一个子导电沟道，所述子导电沟道包括所述源极和漏极连线方向上依次设置的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述子导电沟道形成凸起结构，或者形成凸起结构和凹陷结构，且至少一个所述子导电沟道的所述第一导电部和/或所述第三导电部倾斜设置；

还包括栅极，所述栅极位于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层位于所述衬底和所述有源层之间，所述遮光层包括在所述薄膜晶体管厚度方向上与所述凸起结构一一对应的遮光结构；

在沿所述源极和所述漏极连线的方向上，位于最外侧的所述遮光结构的两最外侧边缘之间的距离小于所述栅极的宽度，且沿所述源极和所述漏极连线方向上，位于最外侧的遮光结构的两最外侧边缘在所述衬底上的垂直投影位于所述栅极靠近所述源极的边缘和所述栅极远离所述源极的边缘在衬底上的垂直投影内；

所述栅极覆盖所述有源层中的所述导电沟道，在沿所述源极和所述漏极连线的方向上，所述导电沟道的尺寸等于所述薄膜晶体管的所述栅极的宽度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括所述有源层靠近所述衬底一侧的中间结构层，所述中间结构层包括与所述凸起结构一一对应的向所述有源层凸起的凸部，和/或所述中间结构层包括与所述凹陷结构一一对应的向所述衬底凹陷的凹部。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层包括一个遮光结构，沿所述源极和所述漏极连线的方向上，所述遮光结构的最外侧边缘与所述栅极对应的最外侧边缘的距离大于设定距离。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述设定距离大于或等于0.3微米。