[发明专利]用于处理基板的装置和方法在审
申请号: | 202111255312.3 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN114496840A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 韩基元;孔泰景;宣珍成 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 侯志源 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
传输部;
第一传输机械手和第二传输机械手,所述第一传输机械手和所述第二传输机械手设置在所述传输部的纵向方向上;
液体处理部,所述液体处理部设置在所述传输部的一侧处、以通过将液体供应到所述基板来将所述液体施用到所述基板;以及
热处理部,所述热处理部设置在所述传输部的相对侧、以面向第一工艺处理部,并且所述热处理部配置为相对于所述基板执行热处理,
其中,所述热处理部包括:
冷却传输模块,所述冷却传输模块设置为在所述第一传输机械手与所述第二传输机械手之间传输所述基板并冷却所述基板。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述冷却传输模块设置在边界处,在所述边界处、所述第一传输机械手的第一移动通道与所述第一传输机械手的第二移动通道相遇。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述冷却传输模块包括:
壳体,所述壳体具有设置在所述传输部的所述纵向方向上的第一区域和第二区域;以及
传输板,所述传输板设置在所述壳体的内侧、以在所述第一区域与所述第二区域之间传输所述基板。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述第一区域设置在第一基板传输区域中,所述第一传输机械手能进入到所述第一基板传输区域,并且
其中,所述第二区域设置在第二基板传输区域中,所述第二传输机械手能进入到所述第二基板传输区域。
5.根据权利要求3所述的装置,其中,所述壳体包括:
第一开口,所述第一开口邻近所述第一区域,其中,将所述基板通过所述第一传输机械手引入至所述第一开口或从所述第一开口取出;以及
第二开口,所述第二开口邻近所述第二区域,其中,将所述基板通过所述第二传输机械手引入至所述第二开口或从所述第二开口取出。
6.根据权利要求3所述的装置,其中,所述冷却传输模块包括:
冷却单元,所述冷却单元用于冷却所述基板;以及
其中,所述冷却单元设置在所述第一区域和所述第二区域中的至少一者中。
7.根据权利要求3所述的装置,其中,所述传输板包括:
冷却通道,所述冷却通道形成在所述传输板中,使得用于冷却所述基板的冷却剂穿过所述冷却通道。
8.根据权利要求3所述的装置,其中,所述液体处理部包括:
第一液体处理腔室,所述第一液体处理腔室设置在所述第一传输机械手能进入到的移动通道上、以执行将第一液体施用到所述基板的工艺;以及
第二液体处理腔室,所述第二液体处理腔室设置在所述第二传输机械手能进入到的移动通道上、以将第二液体施用到所述基板。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述第一液体为用于在所述基板上形成增透膜的液体;以及
其中,所述第二液体为用于在形成于所述基板上的所述增透膜上形成光刻胶膜的液体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造