[发明专利]基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法在审

专利信息
申请号: 202111245606.8 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN113988281A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 李正浩;刘良辰;唐永亮;李琪;唐颖;罗胜强;李鸿鹄;李靖禾 申请(专利权)人: 重庆因普乐科技有限公司
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06N3/04;G06N3/08;G06V40/10;G06V20/40;G06V10/94;G06V10/44;G06V10/774;G06V10/82;G06K9/62
代理公司: 重庆飞思明珠专利代理事务所(普通合伙) 50228 代理人: 艾铭伟
地址: 401120 重庆市渝北区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 基于 忆阻器 结构 短时记忆 网络 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤1:基于基础忆阻器阵列,搭建由LSTM层和全连接层构成的待训练LSTM网络,并输入原始视频数据,得到待训练LSTM网络的全连接层输出值;

步骤2:根据全连接层输出值与标准信息的偏差,利用基于时间反向传播的均方根反向传播算法训练所述待训练LSTM网络;

步骤3:当达到设定的训练次数时,判定训练精度是否达标,若不达标则进行再次训练,直至精度达标;

步骤4:获得所需LSTM网络。

2.根据权利要求1所述的基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于:所述待训练LSTM网络的搭建过程如下:

步骤1.1:采用基础忆阻器阵列制备LSTM层,并将当前时刻的原始信号xt和前一时刻LSTM层的输出信号ht-1并联输入到制成的LSTM层中;

步骤1.2:获得LSTM层计算后的输出信息ht

步骤1.3:采用基础忆阻器阵列制备全连接层,并输入LSTM层的输出信息ht,得到待训练的LSTM网络。

3.根据权利要求1或2所述的基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于:所述基础忆阻器阵列由多个忆阻器按b×b矩阵形式排列而成,其中b为大于1的整数。

4.根据权利要求3所述的基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于:所述基础忆阻器阵列由9个忆阻器按3×3矩阵形式排列而成。

5.根据权利要求1或2所述的基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于:所述LSTM层中的忆阻器阵列、全连接层中的忆阻器阵列均由多个基础忆阻器阵列按q×p矩阵形式排列而成,其中q、p为互不相等的大于1的整数。

6.根据权利要求5所述的基于忆阻器结构的长短时记忆网络实现方法,其特征在于:所述LSTM层中的忆阻器阵列由7200个基础忆阻器阵列按120×60矩阵形式排列而成,所述全连接层中的忆阻器阵列由224个基础忆阻器阵列按28×8矩阵形式排列而成。

7.根据权利要求1所述的一种基于忆阻器的LSTM网络实现方法,其特征在于:所述训练次数不少于1000次。

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