[发明专利]一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置有效
申请号: | 202111205071.1 | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN113634095B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 华斌;李文轩 | 申请(专利权)人: | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | B01D53/40 | 分类号: | B01D53/40;B01D53/78 |
代理公司: | 北京市浩东律师事务所 11499 | 代理人: | 孙莉 |
地址: | 215316 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洗 废气 酸碱 中和 处理 装置 | ||
本发明公开了一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置,用以对半导体清洗后挥发的废气进行处理;包括外壳体,上方安装有储放箱,且所述储放箱的上侧连接有输料口;排气通道,安装在所述外壳体的左侧,且所述外壳体和所述排气通道的连接处开设有通孔,并且所述通孔位于所述外壳体和所述排气通道连接处的下方;出风口,连通在所述排气通道的左上方,且所述排气通道的左下方连通有排液口。该半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置,只需要一个驱动源便可控制内筒围绕主管转动,节能型高,便捷性高,且可同步的驱动转杆控制外侧安装的搅拌叶转动,对内筒内的废气和中和药剂进行翻转混合,使得废气和中和药剂充分接触,加快中和效率。
技术领域
本发明涉及半导体清洗技术领域,具体为一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置。
背景技术
在制造半导体的过程中,由于其制造程序复杂,所使用的化学成分相当多样化,因此产生的工艺尾气也相当复杂,包括酸气(例如氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)和磷酸(H3PO4)等),碱气(例如氨气(NH3)),溶剂(例如异丙醇(IPA)、丙酮、正己烷、环戊酮、丙二醇单甲基醚(PGME)和丙二醇单甲基醚酯(PGMEA)等),以及有毒气体(例如砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)、硅甲烷(SiH4)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、二硼烷(B2H6)、三氟化硼(BF3)和四氟化硅(SiF4)等),为避免半导体在制造过程中产生的工艺尾气造成环境污染问题,因此在设备末端设有工艺尾气处理设备。
但是,在对废气进行处理时,过多的废气和中和药剂直接接触反应,影响中和效果,且中和药剂的累积使用,会逐渐的降低后续废气的中和效果,不能小批量并应用全新的药剂对废气进行中和处理,整体装置的操作自动化程度低,需要人工进行药剂的添加。
所以,我们提出了一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置以便于解决上述提出的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置,以解决上述背景技术提出的目前市场上在对废气进行处理时,过多的废气和中和药剂直接接触反应,影响中和效果,且中和药剂的累积使用,会逐渐的降低后续废气的中和效果,不能小批量并应用全新的药剂对废气进行中和处理,整体装置的操作自动化程度低,需要人工进行药剂的添加的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体清洗后的废气酸碱中和处理装置,用以对半导体清洗后挥发的废气进行处理;
包括外壳体,上方安装有储放箱,且所述储放箱的上侧连接有输料口;
排气通道,安装在所述外壳体的左侧,且所述外壳体和所述排气通道的连接处开设有通孔,并且所述通孔位于所述外壳体和所述排气通道连接处的下方;
出风口,连通在所述排气通道的左上方,且所述排气通道的左下方连通有排液口;
还包括:
下料口,开设在所述储放箱下侧的中部,且所述下料口的内侧贴合设置有挡块,并且所述挡块的前侧连接有安装架,所述安装架通过第一弹簧与所述储放箱弹性连接,且所述安装架的下端连接与第一磁铁;
主管,利用轴承转动连接在所述外壳体的内部,且所述主管的外侧连通有连接管,并且所述连接管远离所述主管的一端连通有内筒;
全齿轮,键连接在所述主管后端的外侧,且所述全齿轮的上方啮合连接有半齿轮,并且所述半齿轮的内侧键连接有转轴,所述转轴的后端与电机的输出端连接,且所述电机螺栓固定在所述外壳体的后上方;
输气管,转动连接在所述主管的后端,且所述输气管与所述输气管的内部相通;
固定环,安装在所述外壳体内部的后侧,且所述固定环的内侧连接有齿块;
第四磁铁,安装在所述外壳体内部的前侧。
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