[发明专利]一种逆阻型绝缘栅双极晶体管在审
申请号: | 202111199045.2 | 申请日: | 2021-10-14 |
公开(公告)号: | CN114093835A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 吕友海;刘超越 | 申请(专利权)人: | 吕友海 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏省南京市秦*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 逆阻型 绝缘 双极晶体管 | ||
本发明涉及晶体管技术领域,具体的说是一种逆阻型绝缘栅双极晶体管;包括一号槽、二号槽、铜铝合金网、凸块、三号槽、第二卡块和四号槽;通过设置一号槽、二号槽和铜铝合金网;当铜铝合金网嵌入在一号槽和二号槽内时,当双极晶体管安装过程中和跌落受到冲击力时,铜铝合金网与一号槽和二号槽的内壁进行紧密接触,使铜铝合金在一号槽和二号槽内没有移动空间,从而使铜铝合金网对整体引脚的包裹性增强,从而提高了整体引脚的韧性和抗拉扯性,进而提高了整体引脚的使用效率;从而解决了双极晶体管出现易断裂的问题。
技术领域
本发明涉及晶体管技术领域,具体的说是一种逆阻型绝缘栅双极晶体管。
背景技术
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区;当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应;晶体管构成主要由双极管主体和双极管引脚。
现有技术中也出现了一项专利关于一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的技术方案,如申请号为CN2017214485543的一项中国专利公开了一种晶体管引脚,包括引线部、挡止部、挤压部及焊接部,挡止部套设于引线部,挤压部的一端与引线部连接,挤压部的另一端与焊接部连接,引线部远离挤压部的一端突伸出挡止部,挡止部与挤压部之间设有空隙。使用时,引线部与晶体管的芯片电连接,晶体管的树脂壳体卡接于空隙且包覆芯片、引线部及挡止部,晶体管通电发热后,挡止部与树脂壳体同时发生形变,保证晶体管的密封性;其次本实用新型通过设置挤压部,晶体管的壳体受热形变时,挤压部对其施加压力,可减少壳体形变的大小,进一步保证了晶体管的密封性;再次,由于本实用新型设置了挡止部和挤压部,可有效防止晶体管在使用、运输过程中因震动而引起的引脚脱落现象;
上述现有技术中通过设置引线部、挡止部、挤压部和焊接部;避免了晶体管的壳体受热形变时,挤压部对其施加压力,可减少壳体形变的大小,可有效防止晶体管在使用、运输过程中因震动而引起的引脚脱落现象;但现有技术中双极晶体管在使用时,当晶体管出现短路现象时,双极晶体管的引脚容易出现引脚断裂和崩碎的现象,以及在运输过程中引脚脱落导致引脚断裂的问题,上述现有技术中的晶体管引脚难以避免这些问题,且难以解决引脚断裂,从而影响双极晶体管的使用效率的问题;
鉴于此,本发明提出一种逆阻型绝缘栅双极晶体管,解决了上述问题。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,解决现有技术中当晶体管出现短路现象时,双极晶体管的引脚容易出现引脚断裂和崩碎的现象,以及在运输过程中引脚脱落导致引脚断裂,从而影响双极晶体管的使用效率的问题;本发明提出了一种逆阻型绝缘栅双极晶体管。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种逆阻型绝缘栅双极晶体管,包括主体、矩形块和整体引脚,所述矩形块固连在主体的一端端面,所述矩形块中心为矩形中空结构,所述整体引脚由第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚组成,所述第一引脚内侧长端为A弧,且A弧的截面为波浪形,所述第一引脚内侧短端为B弧,且B弧的截面为波浪形;所述第二引脚内部长端为C弧,且C弧的截面为波浪形,且C弧与A弧紧密结合,所述第二引脚短端为D弧,且D弧的截面为波浪形;所述第三引脚内部长端为E弧,且E弧的截面为波浪形,所述第三引脚短端为F弧,且F弧的截面为波浪形,且F弧与D弧紧密结合;所述第四引脚内部长端为G弧,且G弧的截面为波浪形,且G弧与F弧紧密结合,所述第四引脚短端为H弧,且H弧的截面为波浪形,且H弧与B弧紧密结合;所述第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚紧密贴合构成整体引脚,所述整体引脚的边缘为矩形,且整体引脚靠近主体的一端与矩形块的内部紧密结合;
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