[发明专利]一种Ga2

权利要求书

1.一种Ga₂O₃单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

以易挥发的金属氧化物和Ga₂O₃为原料，进行晶体生长，得到掺杂M的Ga₂O₃单晶，所述M表示所述金属氧化物中的金属；

将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶置于富氧气氛下进行退火处理，使所述掺杂M的Ga₂O₃单晶中的M去除，得到所述Ga₂O₃单晶；

所述M选自Sn、W、Mo、In、V、Co、Cr、Fe、Mn、Zn、Bi中的至少一种；

所述掺杂M的Ga₂O₃单晶中，所述M的含量为10¹⁷～10¹⁹个/cm³；

所述将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶进行退火处理的温度为1200～1600℃；

所述将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶进行退火处理的时间为6～30h。

2.根据权利要求1所述的Ga₂O₃单晶的制备方法，其特征在于，所述将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶进行退火处理的气氛为流动氧气气氛或流动空气气氛。

3.根据权利要求1所述的Ga₂O₃单晶的制备方法，其特征在于，所述将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶进行退火处理的温度为1400～1600℃。

4.根据权利要求1所述的Ga₂O₃单晶的制备方法，其特征在于，所述得到掺杂M的Ga₂O₃单晶的步骤之后，所述将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶进行退火处理的步骤之前，还包括将所述掺杂M的Ga₂O₃单晶切成厚度为1mm以下薄片的步骤。

5.根据权利要求1所述的Ga₂O₃单晶的制备方法，其特征在于，所述以易挥发的金属氧化物和Ga₂O₃为原料，进行单晶生长，得到掺杂M的Ga₂O₃单晶的步骤，具体包括：

将易挥发的金属氧化物粉末和Ga₂O₃粉末混合；

将混合后的粉末压制成料棒；

将所述料棒进行烧结成相，得到多晶料；

以所述多晶料为原料，采用浮区法、下降法、导模法或提拉法进行晶体生长，得到所述掺杂M的Ga₂O₃单晶。

6.一种Ga₂O₃单晶，其特征在于，所述Ga₂O₃单晶采用权利要求1～5任一项所述的Ga₂O₃单晶的制备方法制备得到。