[发明专利]一种采用陶瓷基电路板衬底的功率模块在审
申请号: | 202111189454.4 | 申请日: | 2021-10-12 |
公开(公告)号: | CN115966527A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 赵振涛 | 申请(专利权)人: | 摩驱科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L25/07 |
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地址: | 518112 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 陶瓷 电路板 衬底 功率 模块 | ||
1.一种采用陶瓷基电路板衬底的功率模块,其特征在于:包括两个或者多于两个的一组陶瓷基两层电路板晶圆衬底和两个或者多于两个的一组MOS管晶圆,陶瓷基两层电路板由顶层线路层、陶瓷基层和底层线路层组成,两个或者多于两个的一组MOS管晶圆对应固定在两个或者多于两个的一组陶瓷基两层电路板晶圆衬底的顶层线路层上;还包括主电路板,主电路板由顶层线路层、基板层和底层线路层组成,在顶层线路层上,布设有两个或者多于两个的一组通孔焊盘,两个或者多于两个的一组通孔焊盘通过穿过基板层的通孔与主电路板的底层线路层分别导通连接;两个或者多于两个的一组陶瓷基两层电路板晶圆衬底的底层线路层对应焊接于两个或者多于两个的一组通孔焊盘上;在主电路板的顶层线路层上还布设有两个或者多于两个的一组输出焊盘,通过邦定导线与两个或者多于两个的一组MOS管晶圆对应连接。
2.根据权利力要求1所述的一种采用陶瓷基电路板衬底的功率模块,其特征在于:所采用的两个或者多于两个的一组MOS管晶圆能够替换为两个或者多于两个的一组IGBT晶圆。
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