[发明专利]金属防护方法及应用

权利要求书

1.一种金属防护方法，其特征在于，包括：

提供一金属材料；及

在所述金属材料表面通过等离子体增强化学气相沉积生长得到垂直石墨烯涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的生长温度为500～800℃；升温速率为1℃/min～100℃/min；所述等离子体增强化学气相沉积的等离子体源功率为10W～500W。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积的碳源气体选自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、甲醇、乙醇中的一种或多种，所述碳源气体的流量为0.05sccm～100sccm；优选，还包括通入惰性气体或还原性气体于所述离子体增强化学气相沉积体系，所述惰性气体选自氩气和氮气中的一种或多种，所述还原性气体为氢气。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体源为射频、微波、直流等离子体源中的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料的形态为块体、薄膜、箔材、纤维或泡沫。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料的材质为纯金属或合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料所含元素选自铝、铍、镉、钴、金、铪、铟、铱、铁、铅、钼、镍、铂、钯、铼、银、钽、钛、钨、钒、锌、锆、铋、铜、锰、镁、铬、铑、钌、铝中的一种或多种。

8.一种装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述方法制备的结构。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述垂直石墨烯涂层的厚度为10nm～100μm。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述垂直石墨烯涂层中垂直石墨烯的横向尺寸为10nm～2μm。