[发明专利]一种叉指背接触电池的制作方法

权利要求书

1.一种叉指背接触电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法，包括

提供N型硅片衬底，对所述N型硅片衬底进行双面制绒；

在所述N型硅片衬底的背面形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区；

在所述N型硅片衬底的正面进行磷扩散处理，形成磷掺杂层；

在所述N型硅片衬底的所述掺杂区上形成第一氮化硅层，且在所述磷掺杂层上形成第二氮化硅层；

在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅层上分别形成与所述掺杂区形成欧姆接触的正电极和负电极，以获得所述叉指背接触电池。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的背面形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区，具体包括：

在所述N型硅片衬底的背面进行硼掺杂处理，以形成P+掺杂层；

在所述P+掺杂层上形成氧化铝膜，并在所述氧化铝膜的预定位置处进行开槽，去除所述预定位置处相应的氧化铝膜和P+掺杂层，以形成N+开槽区；

在所述N+开槽区内进行磷掺杂，以形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的背面进行硼掺杂处理，以形成P+掺杂层，具体包括：使用离子注入设备在N型硅片衬底的背面进行离子注入，注入元素为硼，注入剂量为5×10¹⁴cm²～10×10¹⁴cm²。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N+开槽区内进行磷掺杂，具体包括：使用离子注入设备在所述N+开槽区内进行离子注入，注入元素为磷，注入剂量为5×10¹⁴cm²～10×10¹⁴cm²。

5.根据权利要求1～4任一所述的制作方法，其特征在于，所述P+掺杂区的宽度为500um～1500um，所述P+掺杂区的方阻为50Ω/sq～200Ω/sq；所述N+掺杂区的宽度为100um～500um，所述N+掺杂区的方阻为50Ω/sq～200Ω/sq。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述N型硅片衬底的正面进行磷扩散处理，扩散的温度为840℃～900℃，扩散的时间30min～60min，扩散后的方阻为100Ω/sq～300Ω/sq。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过等离子体增强化学的气相沉积法形成所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层，其中，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层的厚度为50nm～80nm。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅层上分别形成与所述P+掺杂区，和/或所述N+掺杂区形成欧姆接触的金属电极，具体包括：

在所述第一氮化硅层上丝网印刷正电极浆料和负电极浆料，然后进行高温烧结，以获得与所述N+掺杂区形成欧姆接触的负电极和与所述P+掺杂区形成欧姆接触的正电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述正电极浆料为银浆料，所述负电极浆料为银浆料，所述烧结的温度为750℃～800℃。

10.一种由权利要求1～9任一项所述的制作方法制备得到的叉指背接触电池。