[发明专利]碳化硅MOS管驱动电路

权利要求书

1.一种碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述碳化硅MOS管驱动电路包括：变压器、至少一个驱动控制电路，以及与所述至少一个驱动控制电路中的各驱动控制电路连接的碳化硅MOS管；

其中，所述变压器包括原边线圈和与所述驱动控制电路数量对应的副边线圈；所述原边线圈用于接收输入信号，每个所述副边线圈与一个所述驱动控制电路连接，所述驱动控制电路用于根据所述副边线圈提供的驱动信号驱动所述碳化硅MOS管导通或者关断，所述驱动信号和所述输入信号之间的电压的比值等于所述副边线圈和所述原边线圈之间的匝数的比值。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路包括第一二极管、第二二极管、第一三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第一电容；

其中，所述第一电阻的第一端与所述副边线圈的第一端连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极分别与所述第一三极管的发射极和所述第二电阻的第一端连接，所述第二二极管的阴极与所述第一三极管的基极连接，所述第二电阻的第二端分别与所述第三电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第三电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第一三极管的集电极、所述碳化硅MOS管的源极均与所述副边线圈的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第一稳压管和第二稳压管；

其中，所示第一稳压管的阴极与所述碳化硅MOS管的栅极连接，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极连接，所述第二稳压管的阴极与所述碳化硅MOS管的源极连接。

4.根据权利要求2所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第四电阻；

其中，所述第四电阻的第一端与所述第一三极管的基极连接，所述第四电阻的第二端与所述碳化硅MOS管的源极连接。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括并联设置的第五电阻、第六电阻和第二电容；

其中，所述第五电阻的第一端、所述第六电阻的第一端和所述第二电容的第一端分别与所述第一电阻的第二端连接，所述第五电阻的第二端、所述第六电阻的第二端和所述第二电容的第二端分别与所述第四电阻的第一端的连接；

所述第四电阻的电阻值大于所述第五电阻、所述第六电阻和所述第一电阻的电阻值之和。

6.根据权利要求2所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第七电阻；

其中，所述第七电阻的第一端与所述第一三极管的集电极连接，所述第七电阻的第二端与所述副边线圈的第二端连接。

7.根据权利要求2所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路还包括第三稳压管和第三电容；

其中，所述第三稳压管的阳极和所述第三电容的第一端均与所述第一三极管的集电极连接，所述第三稳压管的阴极和所述第三电容的第二端均与所述副边线圈的第二端连接。

8.根据权利要求2所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻为可变电阻，所述第三电阻的电阻值大于所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值之和。

9.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动控制电路的数量为两个，与两个所述驱动控制电路连接的两个所述副边线圈中的电流方向相反，且两个所述副边线圈的匝数与所述原边线圈的匝数的比值为1:1。

10.根据权利要求1所述的碳化硅MOS管驱动电路，其特征在于，所述碳化硅MOS管驱动电路还包括第四电容和第五电容；

其中，所述第四电容和所述第五电容分别设置在所述原边线圈的两端。