[发明专利]相变存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：

相变存储单元，所述相变存储单元具有沿第一方向依次堆叠的第一导电层、选通层、第一电极层、相变材料层、第二电极层和第二导电层；其中，所述第一电极层和所述第二电极层均为氮化钛/碳双层电极结构。

2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括第三电极层，所述第三电极层设置在所述第一导电层和所述选通层之间，且所述第三电极层为氮化钛/碳双层电极结构。

3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层中的氮化钛层与所述相变材料层接触；所述第三电极层中的氮化钛层与所述选通层接触。

4.根据权利要求3所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元还包括第四电极层：所述第四电极层设置在所述选通层和所述第一电极层之间，所述第四电极层为氮化钛层。

5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述第一导电层沿第二方向延伸，所述第二导电层沿第三方向延伸，所述第一方向、第二方向、第三方向两两正交。

6.根据权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，所述相变存储器还包括沿第二方向延伸的第一隔离结构和/或沿第三方向延伸的第二隔离结构，所述第一隔离结构用于电隔离所述相变存储器中沿第三方向并列设置的相邻两个所述相变存储单元；所述第二隔离结构用于电隔离所述相变存储器中沿第二方向并列设置的相邻两个所述相变存储单元。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：

沿第一方向在衬底上依次堆叠形成第一导电层、选通层、第一电极层、相变材料层、第二电极层和第二导电层；其中，所述第一电极层和所述第二电极层均采用氮化钛/碳双层电极结构。

8.根据权利要求7所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一导电层之后，形成所述选通层之前还包括：在所述第一导电层上形成第三电极层，且所述第三电极层为氮化钛/碳双层电极结构，所述第三电极层的氮化钛层与所述选通层接触。

9.根据权利要求7所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述选通层之后，形成所述第一电极层之前还包括：在所述第三导电层上形成第四电极层，且所述第四电极层为氮化钛层。

10.根据权利要求7或8所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺或者溅射沉积工艺，形成氮化钛/碳双层电极结构。

11.根据权利要求10所述的相变存储器的制造方法，其特征在于，所述氮化钛/碳双层电极结构的形成工艺的温度范围为25℃-300℃。