[发明专利]存储器芯片及存储器装置在审

专利信息
申请号: 202111147340.3 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113870908A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 陈彦儒 申请(专利权)人: 鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C5/10
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 薛恒;徐川
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 芯片 装置
【说明书】:

一种存储器芯片包括存储器单元电路、周边电路、互连结构及控制逻辑电路。周边电路位于存储器单元电路之下,电性连接存储器单元电路。互连结构位于存储器单元电路的侧面。控制逻辑电路位于互连结构之下,控制逻辑电路电性连接互连结构及周边电路,且包括动态随机存取存储器。在包含存储器芯片的存储器装置中,由于控制逻辑电路整合于存储器芯片中,存储器装置不须设置控制器芯片,从而可降低存储器装置的制造成本且提升信号传输速度,可有利于小型化存储器装置的体积,且节省出来的空间则可以设置更多的存储器芯片,提升存储器装置的储存空间。

技术领域

本揭示内容是关于一种存储器芯片及存储器装置。

背景技术

一般而言,在包括存储器芯片的电子设备中,通常须设置控制器芯片以管理或控制存储器芯片,然而,由于控制器芯片与存储器芯片是分别独立设置,从而会增加制造电子设备的成本,例如封装成本,此外,由于电子设备包含多个芯片,亦不利于小型化存储器装置。然而,近年来,电子设备的发展趋势是往高集成、小型化及高速化的方向发展。

鉴于上述,需要提供一种新的存储器芯片以克服上述问题。

发明内容

本揭示内容提供一种存储器芯片,其包括存储器单元电路(Memory cellcircuit)、周边电路(Periphery circuit)、互连结构(Interconnect structure)及控制逻辑电路(Control logic circuit)。周边电路位于存储器单元电路之下,电性连接存储器单元电路。互连结构位于存储器单元电路的侧面。控制逻辑电路位于互连结构之下,控制逻辑电路电性连接互连结构及周边电路,且包括动态随机存取存储器(Dynamic random-accessmemory,DRAM)。

在一些实施方式中,动态随机存取存储器包括电容器数组,电容器数组包括多个电容器,各电容器包括导电柱、绝缘层及导电接点,绝缘层覆盖导电柱的侧面及下表面,导电接点位于绝缘层之下。

在一些实施方式中,控制逻辑电路包括精简指令集核心(Reduced instructionset computer core,RISC Core)及存储器控制器(Memory controller),精简指令集核心连接存储器控制器及动态随机存取存储器,存储器控制器电性连接周边电路。

在一些实施方式中,控制逻辑电路还包括只读存储器(Read-only memory,ROM),只读存储器连接精简指令集核心。

在一些实施方式中,控制逻辑电路还包括修正错误电路(Error correctioncircuit,ECC),修正错误电路连接存储器控制器。

在一些实施方式中,控制逻辑电路还包括接口电路(Interface circuit)及电源管理电路(Power management circuit),接口电路连接电源管理电路及精简指令集核心,且连接互连结构。

在一些实施方式中,周边电路包括逻辑控制器(Logic control)、暂存器(Register)、解码器(Decoder)及输入及输出控制器(I/O control),暂存器连接逻辑控制器与I/O控制器,解码器连接逻辑控制器与I/O控制器。

在一些实施方式中,存储器芯片,还包括电源管理电路,逻辑控制器连接至电源管理电路。

在一些实施方式中,存储器单元电路为非挥发性存储器(non-volatile memory,NVM)单元电路。

本揭示内容提供一种存储器装置,包括至少二个前述任一实施方式所述的存储器芯片及至少一接合线。这些存储器芯片堆叠设置。至少一接合线将这些存储器芯片中的这些互连结构相互电性连接。

应该理解的是,前述的一般性描述和下列具体说明仅仅是示例性和解释性的,并旨在提供所要求的本揭示内容的进一步说明。

附图说明

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