[发明专利]一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构及其方法

权利要求书

1.一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

晶圆衬底；

滤波器结构，位于所述晶圆衬底的一侧，所述滤波器结构包括电极和叉指换能结构；

封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成封闭的容纳腔；所述叉指换能结构位于所述容纳腔内；

金属无源器件层，位于所述封装绝缘层内且与所述电极电接触；所述金属无源器件层包括多个连接端子，所述封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。

2.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述封装绝缘层包括：

第一封装绝缘层，位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述第一封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述叉指换能结构不接触；

第二封装绝缘层，位于所述第一封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧；所述第二封装绝缘层覆盖所述第一封装绝缘层且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成所述容纳腔，所述容纳腔与所述叉指换能结构不接触；

第三封装绝缘层；所述金属无源器件层位于所述第三封装绝缘层与所述第二封装绝缘层之间，所述第三封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。

3.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属无源器件层包括多个无源器件图形；

所述无源器件图形与所述连接端子一体成型。

4.根据权利要求3所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，

所述无源器件图形包括螺旋形电感图形；所述螺旋形电感图形的螺旋方向位于所述金属无源器件层所在的平面内。

5.根据权利要求4所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，

所述螺旋形电感图形的厚度的数量级为微米级别；

所述螺旋形电感图形的线宽和线间距的数量级均为微米级别。

6.根据权利要求2所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，

所述第一封装绝缘层的厚度为5μm至50um；所述第二封装绝缘层的厚度为5um至100um；所述第三封装绝缘层的厚度为5μm至50um。

7.根据权利要求1所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：金属再布线层；

所述金属再布线层位于所述封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧且覆盖所述绝缘层；所述金属再布线层包括多个焊盘；所述焊盘与所述连接端子电接触且与所述连接端子一一对应。

8.根据权利要求7所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：阻焊层和焊球；

所述阻焊层位于金属再布线层远离所述封装绝缘层的一侧且覆盖所述金属再布线层；所述阻焊层完全或者不完全暴露所述焊盘；

所述焊球位于所述焊盘远离所述阻焊层的一侧，所述焊球与所述焊盘电接触且与所述焊盘一一对应。

9.一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供晶圆衬底，所述晶圆衬底的一侧形成有滤波器结构，所述滤波器结构包括电极和叉指换能结构；

在所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧形成封装绝缘层和金属无源器件层；其中，所述封装绝缘层位于所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧；所述封装绝缘层覆盖所述滤波器结构且完全或者不完全暴露所述电极，并与所述晶圆衬底围成封闭的容纳腔；所述叉指换能结构位于所述容纳腔内；所述金属无源器件层位于所述封装绝缘层内且与所述电极电接触；所述金属无源器件层包括多个连接端子，所述封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。

10.根据权利要求9所述的集成无源器件的滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，所述在所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧形成封装绝缘层和金属无源器件层包括：

采用喷涂工艺或者层压工艺在所述滤波器结构远离所述晶圆衬底的一侧形成第一干膜层，所述第一干膜层覆盖所述滤波器结构；并采用光刻工艺对所述第一干膜层进行刻蚀，形成第一封装绝缘层，所述第一封装绝缘层完全或者不完全暴露所述电极且与所述叉指换能结构不接触；

采用层压工艺在所述第一封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧形成第二干膜层，所述第二干膜层覆盖所述第一封装绝缘层；并采用光刻工艺对所述第二干膜层进行刻蚀，形成第二封装绝缘层，所述第二封装绝缘层完全或者不完全暴露所述电极且与所述晶圆衬底围成容纳腔，所述容纳腔与所述叉指换能结构不接触；

采用物理气相沉积工艺和电镀工艺在所述第二封装绝缘层远离所述晶圆衬底的一侧形成依次形成金属种子层和电镀金属层，所述电镀金属层覆盖所述第二封装绝缘层且与所述电极电接触；并采用光刻工艺对所述电镀金属层进行刻蚀，形成金属无源器件层，所述金属无源器件层包括多个无源器件图形和多个连接端子，所述无源器件图形与所述连接端子一体成型；

采用喷涂工艺在所述金属无源器件层远离所述第二封装绝缘层的一侧形成第三干膜层，所述第三干膜层覆盖所述金属无源器件层；并采用光刻工艺对所述第三干膜层进行刻蚀，形成第三封装绝缘层，所述第三封装绝缘层完全或者不完全暴露所述连接端子。