[发明专利]发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、设备和介质在审

专利信息
申请号: 202111129347.2 申请日: 2021-09-26
公开(公告)号: CN113822868A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 马政;张伟 申请(专利权)人: 深圳市商汤科技有限公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/11;G06T5/00;G06T5/20;G06K9/38;G06K9/46;G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 支架 缺陷 检测 方法 装置 设备 介质
【说明书】:

本公开涉及一种发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、设备和介质。所述方法包括:获取发光二极管支架的待检测图像;确定所述待检测图像中的关键区域;基于所述关键区域,确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域;对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测,得到所述待检测图像的缺陷检测结果。

技术领域

本公开涉及图像处理技术领域,尤其涉及一种发光二极管支架的缺陷检测方法及装置、电子设备和存储介质。

背景技术

智能化工业质检是计算机视觉及工业质检领域的重要问题和工业4.0技术战略的重要发展方向。半导体行业的智能化工业质检是智能化工业质检的重要课题之一。

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)支架通常由高精度的镀银铜片和高反射率的EMC(Epoxy Molding Compound,环氧塑封料)模压而成。若发光二极管支架的外观存在缺陷,则后续容易在发光二极管芯片固晶、焊线等方面出现问题。因此,对发光二极管支架进行缺陷检测具有重要意义。

发明内容

本公开提供了一种发光二极管支架的缺陷检测技术方案。

根据本公开的一方面,提供了一种发光二极管支架的缺陷检测方法,包括:

获取发光二极管支架的待检测图像;

确定所述待检测图像中的关键区域;

基于所述关键区域,确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域;

对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测,得到所述待检测图像的缺陷检测结果。

通过获取发光二极管支架的待检测图像,确定所述待检测图像中的关键区域,基于所述关键区域,确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域,并对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测,得到所述待检测图像的缺陷检测结果,由此能够准确地检测出发光二极管支架的外观缺陷。

在一种可能的实现方式中,在所述获取发光二极管支架的待检测图像之后,所述对所述潜在缺陷区域进行缺陷检测之前,所述方法还包括:

采用预先训练的第一神经网络对所述待检测图像进行潜在缺陷区域检测,确定所述待检测图像中的潜在缺陷区域。

在该实现方式中,通过采用第一神经网络对待检测图像进行潜在缺陷区域检测,由此有助于检出发光二极管支架表面较浅的划痕,以及关键区域之外的区域的缺陷,从而能够在基于关键区域得到潜在缺陷区域的基础上,对潜在缺陷区域进行补充性检测,得到更多的潜在缺陷区域。通过结合第一神经网络检测得到的潜在缺陷区域,以及基于关键区域分析得到的潜在缺陷区域,得到待检测图像的缺陷检测结果,从而有助于提高发光二极管支架的外观缺陷的检测结果的准确性。

在一种可能的实现方式中,所述确定所述待检测图像中的关键区域,包括:

获取所述发光二极管支架对应的掩膜图像;

基于所述掩膜图像,确定所述待检测图像中的关键区域。

在该实现方式中,通过获取所述发光二极管支架对应的掩膜图像,并基于所述掩膜图像,确定所述待检测图像中的关键区域,由此能够快速准确地确定待检测图像中的关键区域。

在一种可能的实现方式中,所述基于所述掩膜图像,确定所述待检测图像中的关键区域,包括:

对所述待检测图像进行降噪处理,得到降噪后的待检测图像;

将所述降噪后的待检测图像与所述掩膜图像进行匹配处理,得到所述待检测图像中的关键区域。

基于该实现方式确定的关键区域确定待检测图像中的潜在缺陷区域,有助于能够提高所确定的潜在缺陷区域的准确性。

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