[发明专利]一种超高频高磁导率低损耗锰锌软磁铁氧体及制备方法有效

专利信息
申请号: 202111120233.1 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN113563062B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 张志新;张强原;邢冰冰;王鸿健;徐涛;缪思敏 申请(专利权)人: 天通控股股份有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/64;H01F1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 314412 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高频 磁导率 损耗 锰锌软 磁铁 制备 方法
【说明书】:

本发明属于磁性材料技术领域,公开了一种超高频高磁导率低损耗锰锌软磁铁氧体及制备方法。本发明材料包含主成分和辅助成分,主成分包括Fe2O3、ZnO、MoO3、Mn3O4,辅助成分包括CaCO3、ZrO2、TiO2、Co2O3、CuO。本发明通过合适的主成分与掺杂,采用低Zn主配方,ZnO含量为0~3.0 wt%,提高截至频率;在主配方中掺杂低熔点物质MoO3,降低烧结温度;将其在600~900℃进行退火处理,提高磁导率。通过以上方式,成功制作出在6MHz、30mT和8MHz、10mT,及25℃和40℃条件下具有超高频高磁导率低损耗的锰锌软磁铁氧体材料。

技术领域

本发明涉及超高频高磁导率低损耗锰锌软磁铁氧体及制备方法,属于磁性材料技术领域。

背景技术

随着微电子技术的发展,传统Si和GaAs半导体器件性能已经接近其材料本身决定的理论极限。而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体即宽禁带半导体材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,成为制作大功率、高频及抗辐照电子器件的理想替代材料。当前高频变压器的工作频率已高于1MHz,随着科技的发展,未来发展趋势为5MHz之上。目前常见的使用频率在5MHz以上的材料是NiZn铁氧体,但是其成本较MnZn铁氧体高很多。因此为了满足磁性器件对高频的要求,并进一步节省成本,拟开发6MHz~8MHz频段的超高频低损耗、高磁导率、高直流偏置能力的新一代高性能软磁材料。

授权公告号为CN106830913B的中国专利公开了一种高频高饱和磁通密度低损耗MnZn铁氧体的制作方法,其配方和工艺与本发明相差大,没有涉及磁导率且适用频率没有突破6MHz。公布号为CN112759379A的中国专利公开了一种降低高频MnZn铁氧体烧结磁芯损耗的回火工艺,该工艺在氮气的氛围中将磁芯在Tc±150℃的温度下处理后,虽然损耗得到改善,但没有说明其他磁性能的变化情况。与本发明退火的方式有很大差别,本发明不仅可以改善损耗还可以提高磁导率,使磁芯在超高频下磁导率没有发生恶化。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供一种超高频高磁导率锰锌软磁铁氧体及制备方法。本发明通过合适的主成分与掺杂,采用低Zn主配方,提高材料截止频率,使其在6~8MHz频率特性下具有较低损耗。在主配方中掺杂低熔点物质MoO3,起到助溶、降低烧结温度和加快反应速度等作用,减小晶粒尺寸,降低高频损耗。由于低Zn配方和助溶剂的掺杂,使材料的磁导率减小,为了进一步降低损耗和提高磁导率,将其在600~900℃进行退火处理。通过退火,不仅可以消除磁芯内应力,提高磁导率,还可以使液相分布更加均匀,提高电阻率,降低损耗。最终获得一种超高频高磁导率锰锌软磁铁氧体。

为实现上述目的,本发明采用的具体技术方案如下:

步骤1:配料:按照比例称重Fe2O3:73.5~76.5wt%,ZnO:0~3.0 wt%,MoO3:0.01~0.04 wt%,其余为Mn3O4,然后进行湿法砂磨混合,混合时间为10~20min;

步骤2:预烧:对步骤1中所得混合料烘干后进行预烧,在空气中进行预烧,预烧温度为800~1000℃,升温速率为3~5℃/min;

步骤3:砂磨:对步骤2所得预烧料振磨,然后按照比例加入辅助成分:CaCO3:400~600ppm、ZrO2:100~300ppm、TiO2:500~800ppm、Co2O3:1500~4000ppm、CuO:50~200ppm ,砂磨且砂磨时间是30~90min;

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