[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
申请号: | 202111094534.1 | 申请日: | 2021-09-17 |
公开(公告)号: | CN114203587A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 冈田吉文 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具备:
处理单元,具有供搬入处理前的衬底的搬入位置与搬出处理后的衬底的搬出位置,并对所述处理前的衬底进行处理;以及
衬底搬送部,具有构成为能够选择性地保持所述处理前及处理后的衬底的搬送保持部;
所述搬送保持部在保持所述处理前的衬底进入到所述处理单元且将所述处理前的衬底交递到所述搬入位置之后,从所述搬出位置接收所述处理后的衬底,在接收所述处理后的衬底之后从所述处理单元退出。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述搬入位置与所述搬出位置以在上下方向上排列的方式配置。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述处理单元设置着多个,
所述搬送保持部以与多个处理单元分别对应的方式设置着多个,
多个衬底搬送部分别在进入到对应的处理单元将所述处理前的衬底交递到所述搬入位置之后,从所述搬出位置接收所述处理后的衬底,在接收所述处理后的衬底之后从所述对应的处理单元退出。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底处理装置,其中所述处理单元包含:
第1衬底保持部,保持搬入到所述搬入位置的衬底;
第1处理部,对由所述第1衬底保持部保持的衬底进行处理;
第2衬底保持部,保持从所述搬出位置搬入的衬底;
交接部,将由所述第1处理部处理后的衬底从所述第1衬底保持部交递到所述第2衬底保持部;以及
第2处理部,对由所述第2衬底保持部保持的衬底进行处理。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中所述第1处理部与所述第2处理部对衬底进行互不相同的处理。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其中所述第1处理部进行衬底的下表面中央区域的清洗处理,
所述第2处理部进行衬底的包围所述下表面中央区域的下表面外侧区域的清洗处理。
7.一种衬底处理方法,包含如下步骤:
使衬底搬送部的搬送保持部进入到处理单元;
将由所述搬送保持部保持的处理前的衬底交递到所述处理单元的搬入位置;
在将所述处理前的衬底交递到所述搬入位置之后,利用所述搬送保持部从所述处理单元的搬出位置接收处理后的衬底;
在从所述搬出位置接收所述处理后的衬底之后,使所述搬送保持部从所述处理单元退出;以及
利用所述处理单元对所述处理前的衬底进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造