[发明专利]一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法

说明书

本发明公开一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法，包括长度斜率降温法和直径降温法，根据引晶拉速的取值自由切换长斜率降温法和直径降温法，所述长度斜率降温法是设定好放肩长度参数，然后保证拉速与降温幅度恒定，并根据炉内实际情况手动调整拉速，直至完成放肩，所述直径降温法是设定好放肩直径参数，由系统将实际直径与设定值近做对比，根据实际直径值自动调节拉速，直至完成放肩；本发明通过在引晶拉速区间范围内自动切换长度斜率降温法和直径降温法两种放肩加工的方法，大大提高了房间的成活率，同时也降低引放次数，对应的工艺工时也会大大减少，能有效降低原材料的消耗量和能耗，提升放肩加工的效率和产能，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及单晶炉提拉法生长单晶硅棒技术领域，尤其涉及一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法。

背景技术

在单晶硅生产中，目前主流产品为9吋、10吋，12吋单晶为新开发产品，12吋单晶具有尺寸大，面积优，转换效率高等优势，未来会逐步成为主流产品，提拉法制备单晶硅的生产过程包括以下工序：拆炉－装料－熔化料－引细颈－放肩－转肩－等径－收尾－停炉，其中，放肩是整个拉晶过程中最重要的一道工序，放肩的重要性在于，一根单晶拉制的开始，放肩的成功与否，直接关系到拉晶的成品率与单产，而且放肩也是整个拉晶过程中技术最难的环节；

现有的放肩工艺方法进行放肩加工时存在单晶硅棒房间成活率低，引放次数多，大大增加了工艺的工时，增加原材原材料和能源消耗，变向增加成本，同时生产效率和产能均得不到提高，因此，本发明提出一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提出一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法，该12吋单晶拉制的放肩工艺方法通过在引晶拉速区间范围内自动切换长度斜率降温法和直径降温法两种放肩加工的方法，大大提高了房间的成活率，同时也降低引放次数，对应的工艺工时也会大大减少，提高了生产效率，且长度斜率降温法和直径降温法放肩加工能有效降低原材料的消耗量，降低能耗的同时提升放肩加工的效率，使得放肩工艺的产能得到提升，降低生产成本。

为实现本发明的目的，本发明通过以下技术方案实现：一种12吋单晶拉制的放肩工艺方法，包括长度斜率降温法和直径降温法，根据引晶拉速的取值自由切换长斜率降温法和直径降温法，所述长度斜率降温法是设定好放肩长度参数，然后保证拉速与降温幅度恒定，并根据炉内实际情况手动调整拉速，直至完成放肩；

所述直径降温法是设定好放肩直径参数，由系统将实际直径与设定值近做对比，根据实际直径值自动调节拉速，直至完成放肩。

进一步改进在于，所述长度斜率降温法具体操作为：

步骤一、在系统页面上输入所需加工的单晶硅的放肩长度参数；

步骤二、再在系统页面上输入拉速和降温幅度的恒定参数值；

步骤三、开始放肩，放肩处理的同时根据实际情况手动操作调整拉速。

进一步改进在于，所述直径降温法具体操作为：

步骤一、在系统页面上输入所需加工的单晶硅的放肩直径参数；

步骤二、输入放肩直径参数值后，系统会将单晶硅实际的放肩直径与输入设定值对比得出差值；

步骤三、开始放肩，放肩处理时系统会根据实际放肩直径自动调节拉速。

进一步改进在于：所述引晶拉速在240-280mm/h时切换长度斜率降温法，所述引晶拉速在280-340mm/h时切换直径降温法。

进一步改进在于：所述长度斜率降温法和直径降温法均是以160单晶炉和36吋热场为基础进行生长，所述160单晶炉上设有PLC自动控制系统，用于控制单晶炉内温度，降温幅度即功率设定值，其功率设定值降幅越大，单晶炉内降温就越多。